SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成：8Gb容量、功耗減少15%

11月12日消息，SK Hynix(SK海力士)宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。該芯片最高支持3200Mbps，即3200MHz頻率，號(hào)稱可以提供最佳的性能和容量密度。技術(shù)指標(biāo)方面，相較于1Xnm，1Ynm芯片的生產(chǎn)率提高了20%，功耗降低了15%。

SK海力士還表示，新的1Ynm芯片還顯著提高了傳感器精準(zhǔn)度、調(diào)整了晶體管結(jié)構(gòu)，使得數(shù)據(jù)傳輸?shù)某鲥e(cuò)率降低。

官方稱，1Ynm DDR4 DRAM芯片將于明年一季度出貨，率先用于服務(wù)器和PC產(chǎn)品上，最后向手機(jī)等領(lǐng)域推廣。

科普：

在存儲(chǔ)芯片從20+nm進(jìn)入10+nm工藝之后，廠商對(duì)工藝的描述已經(jīng)不再使用具體的數(shù)字了，20nm之后是1x nm工藝，再往后則是1y nm工藝，還有1z nm工藝的說(shuō)法，至于XYZ具體的含義，由于每家公司的工藝并不一樣，所以缺少詳細(xì)的解釋。