面對(duì)高通炮火，聯(lián)發(fā)科12nm P30蓄勢(shì)待發(fā)！

高通日前推出14nm驍龍660/630兩款中端芯片，前者更是采用自主八核Kryo 260架構(gòu)，兩款SoC均支持到最高8G內(nèi)存和UFS閃存，基帶看齊驍龍820。下面急速嵌入式小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。

面對(duì)這樣猛烈的炮火，聯(lián)發(fā)科似乎有些坐不住，尤其最近，十核心的X20/X30接連傳出銷(xiāo)售不佳。

繼16nm、支持Cat.7的Helio P23曝光之后，臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)鏈稱，還有12nm的P30蓄勢(shì)待發(fā)。

所謂12nm，其實(shí)是臺(tái)積電的第四代16nm，上周，NVIDIA發(fā)布的Tesla V100顯卡就是基于該工藝打造。

據(jù)悉，P30已經(jīng)得到聯(lián)發(fā)科副董事長(zhǎng)謝清江的確認(rèn)。

規(guī)格方面，Helio P30將搭載4核A72(2.4GHz)加四核A53(1.5GHz)，支持雙通道LPDDR4內(nèi)存，存儲(chǔ)支持eMMC 5.1及UFS 2.0，基帶提至Cat.10，ISP支持到最高2500萬(wàn)像素。

報(bào)道稱，P30將于下半年推出。

面對(duì)高通炮火聯(lián)發(fā)科坐不住了!12nm P30蓄勢(shì)待發(fā)!