一直以來,芯片工藝都是兵家必爭之地,無論是英特爾、三星還是臺積電,而目前,三星在首爾宣布,正式開始10nm FinFET工藝SoC芯片的量產工作,進度業(yè)界第一,也就是領先臺積電和Intel。
據(jù)悉,三星目前的10nm工藝是10LPE(low-power early),也就是早期低功耗版,這一點和14nm時代的進程一致,后續(xù)還會有10nm LPP(low power plus, advanced power processing),預計明年下半年量產,可用于更高性能的芯片。
三星宣稱,在2017年初將會正式發(fā)布首款消費級別10nm芯片,相較14nm,10nm晶體管面積效率提升30%,性能提升27%,功耗降低40%。看來這次三星走在前面了。