臺(tái)積電自爆12nm工藝
[導(dǎo)讀] 在先前，臺(tái)積電計(jì)劃推出一款由16nm改進(jìn)而來的12nm制程工藝。而在最近臺(tái)積電高層表示確實(shí)有研究過類似的東西(12nm)，但對(duì)于這一命名尚未明確。 按照之前的報(bào)道，臺(tái)積電的1
在先前，臺(tái)積電計(jì)劃推出一款由16nm改進(jìn)而來的12nm制程工藝。而在最近臺(tái)積電高層表示確實(shí)有研究過類似的東西(12nm)，但對(duì)于這一命名尚未明確。
按照之前的報(bào)道，臺(tái)積電的12nm雖然是16nm的第四代改良版本，但比現(xiàn)時(shí)的16nm擁有更高的晶體管集成度，更低的功耗。目前臺(tái)積電的16nm工藝已經(jīng)擁有多個(gè)版本，包括基本的FinFET、進(jìn)階版FinFET Plus以及低功耗版本FinFET Compact。
臺(tái)積電的下一代工藝基于10nm，而目前已經(jīng)進(jìn)入初步量產(chǎn)階段，首批重點(diǎn)客戶包括蘋果A11、聯(lián)發(fā)科Helio X30、以及麒麟970。
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