面對高通炮火聯(lián)發(fā)科坐不住了！12nm P30蓄勢待發(fā)！
[導讀]高通日前推出14nm驍龍660/630兩款中端芯片，前者更是采用自主八核Kryo 260架構(gòu)，兩款SoC均支持到最高8G內(nèi)存和UFS閃存，基帶看齊驍龍820。面對這樣猛烈的炮火，聯(lián)發(fā)科似乎有
高通日前推出14nm驍龍660/630兩款中端芯片，前者更是采用自主八核Kryo 260架構(gòu)，兩款SoC均支持到最高8G內(nèi)存和UFS閃存，基帶看齊驍龍820。
面對這樣猛烈的炮火，聯(lián)發(fā)科似乎有些坐不住，尤其最近，十核心的X20/X30接連傳出銷售不佳。
繼16nm、支持Cat.7的Helio P23曝光之后，臺灣產(chǎn)業(yè)鏈稱，還有12nm的P30蓄勢待發(fā)。
所謂12nm，其實是臺積電的第四代16nm，上周，NVIDIA發(fā)布的Tesla V100顯卡就是基于該工藝打造。
據(jù)悉，P30已經(jīng)得到聯(lián)發(fā)科副董事長謝清江的確認。
規(guī)格方面，Helio P30將搭載4核A72(2.4GHz)加四核A53(1.5GHz)，支持雙通道LPDDR4內(nèi)存，存儲支持eMMC 5.1及UFS 2.0，基帶提至Cat.10，ISP支持到最高2500萬像素。
報道稱，P30將于下半年推出。
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