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[導(dǎo)讀]東芝日前發(fā)布了全球首個基于QLC(四比特單元) BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片,64層堆疊封裝,單顆容量可以做到768Gb(32GB),可以帶來容量更大、成本更低的SSD產(chǎn)品。不過隨著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展,壽命和耐用性一直是個讓人憂慮的問題。

東芝日前發(fā)布了全球首個基于QLC(四比特單元) BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片,64層堆疊封裝,單顆容量可以做到768Gb(32GB),可以帶來容量更大、成本更低的SSD產(chǎn)品。不過隨著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展,壽命和耐用性一直是個讓人憂慮的問題。

NAND閃存目前已經(jīng)發(fā)展出了四種形態(tài):SLC單比特單元,性能最好,壽命最長,但成本也最高;MLC雙比特單元,性能、壽命、成本比較均衡,目前主要用于高端和企業(yè)級產(chǎn)品;TLC三比特單元,成本低,容量大,但壽命越來越短;QLC四比特單元,自然延續(xù)了這一趨勢。

事實上,經(jīng)過廠商不斷的改進,TLC技術(shù)已經(jīng)十分成熟,無論性能還是壽命都可以滿足日常消費甚至企業(yè)級應(yīng)用,目前幾乎絕大多數(shù)消費級SSD都在用它。

QLC閃存由于采用了四比特設(shè)計,每個單元內(nèi)都有多達16種不同的電壓狀態(tài),相比TLC又翻了一番,而且又不能把單元面積做的太大,因此控制難度急劇增大。

另外為了避免讀寫錯誤,主控搭配QLC閃存時也必須支持更高級的ECC,東芝就發(fā)展了自己的QSBC糾錯技術(shù),號稱比TLC設(shè)備上常用的LDPC更加先進。

最關(guān)鍵的來了:東芝宣稱,他們的QLC NAND擁有多達1000次左右的P/E編程擦寫循環(huán),大大高于業(yè)界此前幾年預(yù)計的100-150次,幾乎已經(jīng)和TLC閃存相當(dāng)了!

這就意味著,QLC閃存的壽命根本不是事兒,完全可以和TLC一樣耐用!

東芝具體是怎么做到的暫未披露,應(yīng)當(dāng)是有某種全新的秘密技術(shù),而且很可能已經(jīng)申請了專利。

動輒幾個TB還耐用、便宜的QLC SSD,想想都挺美的……

 

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