物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的先進(jìn)封裝
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2017年中國半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)與市場(chǎng)年會(huì)已經(jīng)過去一個(gè)月了,但半導(dǎo)體這個(gè)需要厚積薄發(fā)的行業(yè)不需要蹭熱點(diǎn),一個(gè)月之后,年會(huì)上專家們的精彩發(fā)言依然余音繞梁。除了“封裝測(cè)試”這個(gè)關(guān)鍵詞,嘉賓們提的最多的一個(gè)關(guān)鍵詞是“物聯(lián)網(wǎng)”。因此,將年會(huì)上的嘉賓觀點(diǎn)稍作整理,讓我們?cè)僖黄鹚伎家幌挛锫?lián)網(wǎng)時(shí)代的先進(jìn)封裝。
智能手機(jī)增速放緩
半導(dǎo)體下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)力經(jīng)歷了幾個(gè)階段,首先是出貨量為億臺(tái)量級(jí)的個(gè)人電腦,后來變成十億臺(tái)量級(jí)的手機(jī)終端和通訊產(chǎn)品,而從2010年開始,以智能手機(jī)為代表的智能移動(dòng)終端掀起了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的高潮,成為最新的殺手級(jí)應(yīng)用?;仡欀暗亩辏掠坞娮有袠I(yè)殺手級(jí)應(yīng)用極大的拉動(dòng)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,不斷激勵(lì)半導(dǎo)體廠商擴(kuò)充產(chǎn)能,提升性能,而隨著半導(dǎo)體產(chǎn)量提升,半導(dǎo)體價(jià)格也很快下降,更便宜更高性能的半導(dǎo)體器件又反過來推動(dòng)了電子產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展,半導(dǎo)體行業(yè)和電子行業(yè)相互激勵(lì),形成了良好的正反饋。但在目前,智能手機(jī)的滲透率已經(jīng)很高,市場(chǎng)增長(zhǎng)率開始減緩,下一個(gè)殺手級(jí)應(yīng)用將會(huì)是什么?
物聯(lián)網(wǎng)可能成為下一個(gè)殺手級(jí)應(yīng)用
根據(jù)IHS的預(yù)測(cè),物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)連接數(shù)在2025年將會(huì)達(dá)到700億。
從數(shù)量上來看,物聯(lián)網(wǎng)將十億量級(jí)的手機(jī)終端產(chǎn)品遠(yuǎn)遠(yuǎn)拋在后面,很可能會(huì)成為下一波的殺手級(jí)應(yīng)用。但物聯(lián)網(wǎng)的問題是產(chǎn)品多樣化,應(yīng)用非常分散。我們面對(duì)的市場(chǎng)正從單一同質(zhì)化大規(guī)模市場(chǎng)向小規(guī)模異質(zhì)化市場(chǎng)發(fā)生變化。對(duì)于半導(dǎo)體這種依靠量的行業(yè)來說,芯片設(shè)計(jì)和流片前期投入巨大,沒有量就不能產(chǎn)生規(guī)模效應(yīng),攤銷到每塊芯片的成本非常高。
除了應(yīng)對(duì)小規(guī)模異質(zhì)化的挑戰(zhàn),物聯(lián)網(wǎng)需要具備的關(guān)鍵要素還包括:多樣的傳感器(各類傳感器和Sensor Hub),分布式計(jì)算能力(云端計(jì)算和邊緣計(jì)算),靈活的連接能力(5G, WIFI, NB-IOT, Lora, Bluetooth, NFC,M2M…),存儲(chǔ)能力(存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)中心)和網(wǎng)絡(luò)安全。
這些關(guān)鍵要素會(huì)刺激CPU/AP/GPU,SSD/Memory, 生物識(shí)別芯片,無線通訊器件,傳感器,存儲(chǔ)器件和功率器件的發(fā)展。
物聯(lián)網(wǎng)多樣化的下游產(chǎn)品對(duì)封裝提出更多要求
物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的多樣性意味著芯片制造將從單純追求制程工藝的先進(jìn)性,向既追求制程先進(jìn)性,也最求產(chǎn)品線的寬度發(fā)展。物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的芯片可能的趨勢(shì)是:小封裝,高性能,低功耗,低成本,異質(zhì)整合(Stacking,Double Side, EMI Shielding,Antenna…)。
汽車電子的封裝需求:汽車電子目前的熱點(diǎn)在于ADAS系統(tǒng)和無人駕駛AI深度學(xué)習(xí)。全球汽車2016年產(chǎn)銷量約為8000萬臺(tái),其中中國市場(chǎng)產(chǎn)銷量2800萬臺(tái),為汽車電子提供了足夠大的舞臺(tái)。ADAS汽車系統(tǒng)發(fā)展前景廣闊,出于安全考慮,美國NHTSA要求從2018年5月起生產(chǎn)的汽車需要強(qiáng)制安裝倒車影像顯示系統(tǒng)。此外,車道偏離警示系統(tǒng)(LDW),前方碰撞預(yù)警系統(tǒng)(FCW),自動(dòng)緊急剎車系統(tǒng)(AEBS),車距控制系統(tǒng)(ACC),夜視系統(tǒng)(NV)市場(chǎng)也在快速成長(zhǎng)。中國一二線城市交規(guī)越來越嚴(yán)格也使得人們對(duì)ADAS等汽車電子系統(tǒng)的需求提升。ADAS,無人駕駛,人工智能,深度學(xué)習(xí)對(duì)數(shù)據(jù)處理實(shí)時(shí)性要求高,所以要求芯片能實(shí)現(xiàn)超高的計(jì)算性能,另外對(duì)芯片和模塊小型化設(shè)計(jì)和散熱也有要求,未來的汽車電子芯片可能需要用2.5D技術(shù)進(jìn)行異構(gòu)性的集成,比如將CPU,GPU,F(xiàn)PGA,DRAM集成封裝在一起。
個(gè)人移動(dòng)終端的封裝需求:個(gè)人消費(fèi)電子市場(chǎng)也將繼續(xù)穩(wěn)定增長(zhǎng),個(gè)人消費(fèi)電子設(shè)備主要的訴求是小型化,省電, 高集成度,低成本和模塊化。比如個(gè)人移動(dòng)終端要求能實(shí)現(xiàn)多種功能的模塊化,將應(yīng)用處理器模塊,基帶模塊,射頻模塊,指紋識(shí)別模塊,通訊模塊,電源管理模塊等集成在一起。這些產(chǎn)品對(duì)芯片封裝形式的要求同樣是小型化,省電, 高集成度,模塊化,芯片封裝形式主要是“Stack Die on Passive”, “Antenna in SiP”, “Double Side SiP等 。比如蘋果的3D SiP集成封裝技術(shù),從過去的ePOP & BD PoP,發(fā)展到目前的是HBW-PoP和 FO-PoP,下一代的移動(dòng)終端封裝形式可能是FO-PoP加上FO-MCM,這種封裝形式能夠提供更加超薄的設(shè)計(jì)。
5G網(wǎng)絡(luò)芯片的封裝需求:5G網(wǎng)絡(luò)和基于物聯(lián)網(wǎng)的NB-IOT網(wǎng)絡(luò)建設(shè)意味著網(wǎng)絡(luò)芯片市場(chǎng)將會(huì)有不錯(cuò)的表現(xiàn)。與網(wǎng)絡(luò)密切祥光的大數(shù)據(jù),云計(jì)算和數(shù)據(jù)中心,對(duì)存儲(chǔ)器芯片和FPGA/GPU/CPU的需求量非常大。通信網(wǎng)絡(luò)芯片的特點(diǎn)是大規(guī)模,高性能和低功耗,此外,知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)核復(fù)雜、良率等都是廠商面臨的重要問題。這些需求和問題也促使網(wǎng)絡(luò)芯片封裝從Bumping&FC發(fā)展到2.5D,F(xiàn)O-MCM和3D。而TSV技術(shù)的成功商用,使芯片的堆疊封裝技術(shù)取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展,海力士和三星已成功研發(fā)出3D堆疊封裝的高帶寬內(nèi)存(HBM),Micron和Intel等也正在聯(lián)合推動(dòng)堆疊封裝混合存儲(chǔ)立方體(HMC)的研發(fā)。在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域,BROADCOM、GLOBALFOUNDRIES等公司也成功引入了TSV技術(shù),目前已能為通信網(wǎng)絡(luò)芯片提供2.5D堆疊后端設(shè)計(jì)服務(wù)。
上游晶圓代工廠供應(yīng)端對(duì)封裝的影響
一方面,下游市場(chǎng)需求非常旺盛,另外一方面,大基金帶領(lǐng)下的資本對(duì)晶圓代工制造業(yè)持續(xù)大力投資,使得上游的制造一直在擴(kuò)充產(chǎn)能。據(jù)SEMI估計(jì),全球?qū)⒂?017年到2020年間投產(chǎn)62座半導(dǎo)體晶圓廠,其中26座在中國大陸,占全球總數(shù)的42%。目前晶圓廠依然以40nm以上的成熟制程為主,占整體晶圓代工產(chǎn)值的60%。未來,汽車電子,消費(fèi)電子和網(wǎng)絡(luò)通信行業(yè)對(duì)芯片集成度、功能和性能的要求越來越高,主流的晶圓廠中芯和聯(lián)電都在發(fā)展28nm制程,其中臺(tái)積電28nm制程量產(chǎn)已經(jīng)進(jìn)入第五年,甚至已經(jīng)跨入10X nm制程。
隨著晶圓技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷逼近原子級(jí)別,摩爾定律可能將會(huì)失效。如何延續(xù)摩爾定律?可能不能僅僅從晶圓制造來考慮,還應(yīng)該從芯片制造全流程的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈出發(fā)考慮問題,需要對(duì)芯片設(shè)計(jì),晶片制造到封裝測(cè)試都進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)的優(yōu)化。
因此,晶圓制造,芯片封測(cè)和系統(tǒng)集成三者之間的界限將會(huì)越來越模糊。首先是芯片封測(cè)和系統(tǒng)集成之間出現(xiàn)越來越多的子系統(tǒng),各種各樣的系統(tǒng)級(jí)封裝SiP需要將不同工藝和功能的芯片,利用3D等方式全部封裝在一起,既縮小體積,又提高系統(tǒng)整合能力。Panel板級(jí)封裝也將大規(guī)模降低封裝成本,提高勞動(dòng)生產(chǎn)效率。其次,芯片制造和芯片封測(cè)之間出現(xiàn)了扇入和扇出型晶圓級(jí)封裝,F(xiàn)O-WLP封裝具有超薄,高I/O腳數(shù)的特性,是繼打線,倒裝之后的第三代封裝技術(shù)之一,最終芯片產(chǎn)品具有體積小,成本低,散熱佳,電性能優(yōu)良,可靠性高等優(yōu)勢(shì)。
先進(jìn)封裝的發(fā)展現(xiàn)狀
先進(jìn)封裝形式在國內(nèi)應(yīng)用的越來越多,傳統(tǒng)的TO和DIP封裝類型市場(chǎng)份額已經(jīng)低于20%。
最近幾年,業(yè)界的先進(jìn)封裝技術(shù)包括以晶圓級(jí)封裝(WLCSP)和載板級(jí)封裝(PLP)為代 表的2.1D,3D封裝,F(xiàn)an Out WLP,WLCSP,SIP以及TSV,
2013年以前,2.5D TSV封裝技術(shù)主要應(yīng)用于邏輯模塊間集成,F(xiàn)PGA芯片等產(chǎn)品的封裝,集成度較低。2014年,業(yè)界的3D TSV封裝技術(shù)己有部分應(yīng)用于內(nèi)存芯片和高性能芯片封裝中,比如大容量?jī)?nèi)存芯片堆疊。2015年,2.5D TSV技術(shù)開始應(yīng)用于一些高端GPU/CPU, 網(wǎng)絡(luò)芯片, 以及處理器(AP)+內(nèi)存的集成芯片中。3D封裝在集成度、性能、功耗,更小尺寸,設(shè)計(jì)自由度,開發(fā)時(shí)間等方面更具優(yōu)勢(shì),同時(shí)設(shè)計(jì)自由度更高,開發(fā)時(shí)間更短,是各封裝技術(shù)中最具發(fā)展前景的一種。在高端手機(jī)芯片,大規(guī)I/O芯片和高性能芯片中應(yīng)用廣泛,比如一個(gè)MCU加上一個(gè)SiP,將原來的尺寸縮小了80%。
目前國內(nèi)領(lǐng)先封裝測(cè)試企業(yè)的先進(jìn)封裝能力已經(jīng)初步形成
長(zhǎng)電科技王新潮董事長(zhǎng)在2017半導(dǎo)體封裝測(cè)試年會(huì)上,對(duì)于中國封測(cè)廠商目前的先進(jìn)封裝技術(shù)水平還提到三點(diǎn):
SiP系統(tǒng)級(jí)封裝:目前集成度和精度等級(jí)最高的SiP模組在長(zhǎng)電科技已經(jīng)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn);華天科技的TSV+SiP指紋識(shí)別封裝產(chǎn)品已經(jīng)成功應(yīng)用于華為系列手機(jī)。
WLP晶圓級(jí)封裝:長(zhǎng)電科技的Fan Out扇出型晶圓級(jí)封裝累計(jì)發(fā)貨超過15億顆,其全資子公司長(zhǎng)電先進(jìn)已經(jīng)成為全球最大的集成電路Fan-In WLCSP封裝基地之一;晶方科技已經(jīng)成為全球最大的影像傳感器WLP晶圓級(jí)封裝基地之一。
FC倒裝封裝:通過跨國并購,國內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)獲得了國際先進(jìn)的FC倒裝封裝技術(shù),比如長(zhǎng)電科技的用于智能手機(jī)處理器的FC-POP封裝技術(shù);通富微電的高腳數(shù)FC-BGA封裝技術(shù);國內(nèi)三大封測(cè)廠也都基本掌握了16/14nm的FC倒裝封裝技術(shù)。