借助2017年存儲器超級行情，三星一舉超越英特爾，成為半導體新霸主。三星顯然不只做到此一游之想，其2017年半導體資本支出計劃達到令人乍舌的260億美元，比緊隨其后的英特爾與臺積電兩強加起來還多，在數(shù)據(jù)洪流時代中流擊水，可要先練好身體。
“數(shù)據(jù)洪流”是英特爾近來提倡的一個概念。英特爾CEO科再奇(Brian Krzanich)為公司定下了“數(shù)據(jù)驅動”的戰(zhàn)略，他指出：“如果一個市場不能生成數(shù)據(jù)、分析數(shù)據(jù)、或使用數(shù)據(jù)來提供增值服務，英特爾就不會進入。”
如今火熱的人工智能、無人駕駛、5G和智能制造等行業(yè)，無一不在圍繞數(shù)據(jù)做文章，滾滾而來的數(shù)據(jù)洪流漸成氣候，雖未排山倒海，卻已洶涌澎湃，但一不小心，把英特爾沖下了半導體霸主寶座。
據(jù)市場調研機構IC Insights預計，三星半導體2017年營收將達656億美元，超越英特爾，成為全球第一大半導體廠商。自2002年排名攀升到第二以后，三星已經(jīng)在第二位置等了15年，期間全球前十大半導體后面的排名風云變幻，只有英特爾和三星巋然不動，憑借這輪存儲器行情，三星在2017年終結了英特爾延續(xù)24年榜首的記錄。
三星與英特爾近7年季度營收對比
數(shù)據(jù)的生成、分析和使用都離不開存儲器，作為數(shù)字經(jīng)濟的基礎設施，存儲器一定是數(shù)據(jù)洪流時代到來后首先獲益的行業(yè)。2017年全球半導體市場增速約20%，存儲器對增長貢獻約為13%，價格大漲是今年存儲器市場大幅增長的主要原因，但價格增長的背后則不僅是供應端出了問題，需求增長也是主導因素之一。
存儲器對半導體增長影響
據(jù)美光公司估計，近年DRAM每年需求增長在20%至25%左右。而市場調研機構Gartner預測，2016至2021年NAND存儲器需求年復合增長率高達37.9%。DRAM加NAND閃存占全球半導體市場總銷售額約四分之一，其中三星在DRAM市場占比約為45%，在NAND閃存市場占比約為37%，其656億營收中，存儲器貢獻的營收預計至少達500億美元。
一位市場分析人士表示，寡頭統(tǒng)治的內存市場呈現(xiàn)出強者愈強的趨勢，加上需求增長超過產能增長，產生了一個內存超級周期，這波存儲器行情最短也會延續(xù)到明年下半年，最長有可能延續(xù)到2019年下半年。
但半導體資深專家莫大康先生還是非?？春糜⑻貭柗闯?，他認為只要存儲器價格下跌，英特爾將很快超越三星，重歸榜首。
從供應方面來看，三星3D NAND閃存良率已經(jīng)很高，而且一直在加碼擴產，2017年三星資本投入預計達史無前例的260億美元，比英特爾與臺積電加起來還多，其中140億美元投入到3D NAND，70億美元投入到DRAM，這樣的資本投入節(jié)奏，未來幾年釋放出的產能將很可怕。所以Gartner預測，2018年NAND閃存價格將出現(xiàn)大幅下降。DRAM方面，SK海力士和三星都有意擴產，雖然之前美光表示不會擴產，但預計也不會坐視自己市場份額被吃。
三星半導體資本支出狀況
三星在存儲器上瘋狂投入，是進一步擠壓現(xiàn)有競爭對手生存空間，也有震懾新生的中國存儲器廠商之意，如果2018年中國廠商存儲器產品順利量產，價格戰(zhàn)難以避免。
在存儲器這個高度依賴資本投入的行業(yè)，只要競爭對手跟不上三星節(jié)奏，市場進一步集中的可能性極大，三星操縱市場的能力也會進一步增強，這是下游廠商與競爭對手都不愿意看到的局面。
破解三星存儲器霸權，要么出現(xiàn)一個可無限補血的新生存儲器廠商，與三星持續(xù)纏斗，借技術升級換代時機蠶食三星份額;要么存儲器新技術顛覆現(xiàn)有路線，大家在另一條路上重新賽跑。
31年前，英特爾全面放棄放棄存儲器，將資源全部投入到處理器，成就了PC時代，并于1992年(Gartner統(tǒng)計)在半導體行業(yè)登頂，如今被三星超越，存儲器在其中起到最關鍵作用。
2年前，英特爾宣布推出3D Xpoint技術，稱這是25年來存儲技術的革命性突破，有業(yè)內人士表示，國內一些大廠已經(jīng)開始導入英特爾將其命名為Optane的3D Xpoint存儲器模組。但目前，從財報中還看不到3D Xpoint存儲器的貢獻。
誰能在存儲與運算基礎器件上占據(jù)優(yōu)勢，誰才能在數(shù)據(jù)洪流時代中流擊水，笑看潮頭。不過對中國下游廠商而言，無論是英特爾還是三星，哪一家稱霸存儲器市場，都算不上一件好事。
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