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[導(dǎo)讀]目前6GHz以下頻譜擁擠且可用的頻段相當(dāng)破碎,為獲取更大頻寬,使得5G開始朝毫米波(mmWave)發(fā)展。然而,毫米波訊號(hào)具衰減快、易受阻擋且覆蓋距離短等特性,使得5G基地臺(tái)與終端開發(fā)面臨技術(shù)挑戰(zhàn),也進(jìn)而影響天線與射頻(RF)前端的設(shè)計(jì)。

目前6GHz以下頻譜擁擠且可用的頻段相當(dāng)破碎,為獲取更大頻寬,使得5G開始朝毫米波(mmWave)發(fā)展。然而,毫米波訊號(hào)具衰減快、易受阻擋且覆蓋距離短等特性,使得5G基地臺(tái)與終端開發(fā)面臨技術(shù)挑戰(zhàn),也進(jìn)而影響天線與射頻(RF)前端的設(shè)計(jì)。

ADI通訊基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)部中國區(qū)策略市場(chǎng)經(jīng)理解勇指出,5G大規(guī)模天線陣列技術(shù),使之對(duì)于射頻元件的整合度、頻寬與成本具更高的要求。5G頻段包含6GHz以下的低頻頻段與高頻毫米波頻段,即便是低頻段也比現(xiàn)在的4G頻段要高得多,因此,若要達(dá)到5G RF性能指標(biāo)要求,將為相關(guān)RF元件制程與電路設(shè)計(jì)帶來了更大的挑戰(zhàn)。

以往RF前端多采用離散式元件(Discrete Components),透過印刷電路板(PCB)上的RF走線(Trace)連接收發(fā)器(TRx)、功率放大器(PA)、低雜訊放大器(LNA)及濾波器(Filter)等主被動(dòng)元件。不過,隨著RF元件用量的提升,Qorvo產(chǎn)品行銷經(jīng)理陳慶鴻指出,目前4G高階手機(jī)RF元件模組化已是必然的趨勢(shì),而5G將更進(jìn)一步加速元件整合的趨勢(shì)。其中,模組的型式包括封裝、低損耗板材SMT、軟板SMT等等,但不論采用何種方式都必須解決熱集中、高功率消耗的問題。

Anokiwave亞太地區(qū)銷售總監(jiān)張肇強(qiáng)進(jìn)一步說明,5G毫米波訊號(hào)易耗損、受干擾,為降低訊號(hào)在PCB傳遞過程中耗損,須將RF元件與天線整合在一起,以縮短RF走線。此外,隨著頻率變高,天線尺寸及每個(gè)天線間的距離都會(huì)大幅縮小,難以之接將離散式元件整合在天線間,因此須將RF元件與天線加以整合。因應(yīng)此趨勢(shì),該公司利用矽制程技術(shù)將RF元件整合成四通道的毫米波IC,再將之與天線整合成模組,以解決訊號(hào)傳輸耗損問題。

此外,張肇強(qiáng)也談到,基地臺(tái)散熱問題對(duì)于RF元件與天線設(shè)計(jì)是一大挑戰(zhàn),過往雷達(dá)與RF技術(shù)主要被運(yùn)用在軍事國防,尺寸與成本都并非設(shè)計(jì)上的主要考量,因此若要運(yùn)用相關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)商用基地臺(tái),除了要克服尺寸問題,基地臺(tái)散熱所帶來的龐大成本也是一大問題。而Anokiwave也嘗試從封裝來改善散熱問題,其第一代IC采用QFN封裝技術(shù),但考量塑膠封裝散熱效果差,因此第二代產(chǎn)品改采晶圓級(jí)晶粒尺寸封裝(WLCSP),在改善散熱問題的同時(shí)也能進(jìn)一步縮小封裝體積。

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