如今，業(yè)界不斷刷新著納米芯片的記¼，這無疑將在δ來計算上帶給我們更多的可能性。為此，各國科研人員不斷進行著努力。近日，一個國際研究團隊在報告中表示，自己在制造納米芯片方面取得了突破性進展，或將為納米芯片的生產以及全球所有納米技術實驗室，帶來重大影響。
據(jù)悉，該個研究團隊由美國紐約大學坦頓工程學院化學和生物分子工程教授Riedo帶隊，他們證明了使用加熱到攝氏100度以上的探頭的光刻技術，要優(yōu)于在二維半導體(例如二硫化鉬(MoS2))上制造金屬點擊的方法，成本更低，有望成為當今電子束光刻的替代品。
該團隊將這種新制造方法稱為熱掃描探針光刻(t-SPL)，其與當今的電子束光刻(EBL)相比具有更多的優(yōu)勢：首先，熱光刻顯改善了二維晶體管的質量，抵消了肖特基勢壘，阻礙了金屬與二維襯底交界處的電子流動;與電子束光刻(EBL)不同，熱光刻技術使芯片設計人員能夠輕松地對二維半導體進行成像，之后在需要的地方對電極進行圖案化; 此外，熱掃描探針光刻(t-SPL)制造系統(tǒng)有望在初期節(jié)省成本;最后，通過使用平行熱探針，能夠輕松地將該熱制造方法推廣到批量的工業(yè)生產當中。
Riedo博士希望t-SPL最終可以從實驗室走向工廠批量制造，為實現(xiàn)這個愿景仍需要研究人員繼續(xù)努力，快速推進材料科學與芯片設計。有一天，這些t-SPL工具的分辨率將低于10納米，在標準的環(huán)境條件下以120伏電源運行。
其實，Riedo在熱探測方面的經驗可以追溯到十多年前，先是在IBM Research-Zurich，后來才到紐約城市大學(CUNY)研究生中心高級科學研究中心(ASRC)探索金屬納米制造的熱光刻，與該論文的共同第一作者，Xiao rui Zheng和Annalisa Calò一起工作，并擁有瑪麗居里獎學金。
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