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[導(dǎo)讀]起直流穩(wěn)壓(流)電子負(fù)載核心作用的功率 MOSFET

  設(shè)計人員都用直流電子負(fù)載來測試電源,如太陽能陣列或電池,但商用直流電子負(fù)載很昂貴。你只要將功率 MOSFET在其線性區(qū)內(nèi)使用,就可制作出自己的直流電子負(fù)載(圖 1)。該負(fù)載采用兩個簡單的反饋回路。MOSFET 用作一個穩(wěn)流模式下的電流源或穩(wěn)壓模式下的電壓源。設(shè)計師在描述電壓源的特性時都使用穩(wěn)流模式,因?yàn)樵诜€(wěn)流模式下,電源必須提供電子負(fù)載中設(shè)定的電流值。設(shè)計師都將穩(wěn)壓模式與電流源一起使用,因?yàn)榉€(wěn)壓模式會迫使電源在負(fù)載設(shè)定的電壓下工作。

  在電流模式下,RSHUNT檢測ILOAD,檢測得到的電壓反饋給運(yùn)算放大器 IC1A的反相輸入端。由于運(yùn)算放大器的直流增益在線性反饋工作區(qū)內(nèi)很高,反相輸入端保持與非反相輸入端相等,即相當(dāng)于VIREF。放大器產(chǎn)生自己的輸出值,以使 MOSFET Q2和Q3工作于線性區(qū),因而會消耗電源的功率。源極電流值與電流環(huán)基準(zhǔn) VIREF 成正比,即ILOAD=VIREF/RSHUNT??衫靡粋€連接到穩(wěn)定電壓基準(zhǔn)上的電阻分壓器設(shè)定 VIREF,或者使用來自一個基于PC的I/O卡的D/A轉(zhuǎn)換器輸出,以實(shí)現(xiàn)靈活的配置。
  電壓工作模式的情況與電流模式相同,只不過檢測的變量是輸出電壓,這一輸出電壓是經(jīng)過分壓器RA/RB衰減的,所以電子負(fù)載的工作電壓比運(yùn)放電源電壓高。檢測出的電壓被反饋到 IC1B 的非反相輸入端,MOSFET 再次工作在線性區(qū)。負(fù)載電壓VLOAD=VVREF×(RA+RB)/RB

  CA3240型雙運(yùn)放IC1可以在輸入電壓低于負(fù)電源電壓的情況下工作,這對單電源供電非常有用,然而,如果你有對稱電源,那就可以采用任何運(yùn)放。繼電器 K1通過一根驅(qū)動Q1 的數(shù)字控制線來切換工作模式。MOSFET 是至關(guān)重要的;你可以增加這個并聯(lián)使用的IRF150器件,以提高電流承受能力,因?yàn)镮RF150具有正的溫度系數(shù),從而可均衡流過兩只并聯(lián) MOSFET的電流。由于電路中使用兩只 MOSFET,電子負(fù)載可承受10A 電流,功耗大于 100W,所以使用一只散熱器和小風(fēng)扇是個好主意。
  本電路適用于描述有兩種電源模式的光伏電池模塊的特性。采用本電路和基于PC的設(shè)置時,Helios技術(shù)公司(www.heliostechnology.com)的一個光伏電池模塊的I-V特性曲線表明有一個區(qū)在VMPP(最高點(diǎn)的電壓)以上,在VMPP這一電壓下,陡峭的過渡與一個電壓源相對應(yīng)(圖2)。在低于 VMPP 的電壓下,光伏電池模塊猶如一個電流源。一般情況下,用一個簡單的電流模式電子負(fù)載描述I-V 特性曲線這一平坦區(qū)的特性是很困難的,因?yàn)殡妷狠敵鰧﹄娏鞯奈⑿∽兓苊舾校虼?,恒定電壓模式?fù)載就是一種較好的選擇。
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