Vishay將在2014年成都電子展展出業(yè)界最先進(jìn)技術(shù)
[導(dǎo)讀]2014 年 7 月7 日， 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將在7月10日至12日成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心舉行的2014年成都電子展夏季會(huì)上展出一系列技術(shù)。在3號(hào)展廳A21A展位，該公司將展出其最新的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括無
2014 年 7 月7 日， 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將在7月10日至12日成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心舉行的2014年成都電子展夏季會(huì)上展出一系列技術(shù)。在3號(hào)展廳A21A展位，該公司將展出其最新的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。
在2014年中國(guó)（成都）電子展上，Vishay Siliconix將展出在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下導(dǎo)通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET? 第四代 MOSFET，提高效率的500V、600V和650V E系列器件，小尺寸、高功率密度，通過AEC-Q101認(rèn)證的采用PowerPAK? SO8L封裝的SQ系列MOSFET。重點(diǎn)展出的功率IC包括在不到180mm2面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)超過93%效率的2.8V～5.5V降壓穩(wěn)壓器，具有超快瞬態(tài)響應(yīng)的4.5V～15V microBUCK?穩(wěn)壓器，集成了TrenchFET功率MOSFET的3V～28V穩(wěn)壓器，以及采用5mm x 5mm雙側(cè)冷卻封裝的高密度70A DrMOS功率級(jí)。
針對(duì)汽車、商業(yè)和電信應(yīng)用，Vishay Semiconductors將著重展示采用各種超薄封裝的二極管，包括采用SMPA(DO-221BC)和SMPD(TO-263AC)封裝的45V～120V TMBS? Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器，采用SlimSMA(DO-221AC)和SMF (DO-219AB)封裝的FRED Pt?超快恢復(fù)整流器。另外，Vishay還將展示采用無焊膏壓合技術(shù)的EMIPAK-2B封裝的電源模塊。Vishay Semiconductors的光電子產(chǎn)品將是另一個(gè)亮點(diǎn)，例如白光高亮度、高功率LED模塊，高亮度0402和0603尺寸的ChipLED，PLCC2封裝的SMD LED，以及全集成的接近和環(huán)境光傳感器。
Vishay的無源元件將包括各種最新的傳感器和電阻。在突出位置展出的電阻包括具有模壓外殼的Vishay Dale Power Metal Strip?電池分流電阻，具有長(zhǎng)型端子焊盤和增強(qiáng)熱循環(huán)的通過AEC-Q200認(rèn)證的Vishay Draloric厚膜片式電阻，用于安全氣囊和焰火的Vishay Sfernice塊狀電煙火起爆器片式(MEPIC)電阻，通過AEC-Q200認(rèn)證的用于DC-link應(yīng)用的表面貼裝厚膜功率電阻；Vishay Dale薄膜片式電阻和公差只有0.01%的分壓器，以及Vishay MCB的水冷繞線電阻。
特色電容器包括通過AEC-Q200認(rèn)證的工作溫度可達(dá)150℃的Vishay Vitramon多層陶瓷片式電容器(MLCC)，Vishay Sprague高溫固鉭表面貼裝電容器和通過AEC-Q200認(rèn)證的小尺寸0603的器件，Vishay BCcomponents的使用壽命長(zhǎng)達(dá)6000小時(shí)的表面貼裝鋁電容器和用于汽車的陶瓷盤式安規(guī)電容器，Vishay ESTA功率電子電容器，用于DC-link應(yīng)用的Vishay Roederstein聚丙烯膜電容器。
另外，Vishay將在2014年中國(guó)（成都）電子展的展位進(jìn)行兩項(xiàng)產(chǎn)品演示。Vishay Siliconix將演示SiHP22N60E 600V E系列N溝道功率MOSFET。Vishay Semiconductors將演示手勢(shì)控制傳感器，電路板包括VCNL4020接近傳感器和兩個(gè)VSMF2890RGX01紅外發(fā)射器。
在2014年中國(guó)（成都）電子展上，Vishay Siliconix將展出在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下導(dǎo)通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET? 第四代 MOSFET，提高效率的500V、600V和650V E系列器件，小尺寸、高功率密度，通過AEC-Q101認(rèn)證的采用PowerPAK? SO8L封裝的SQ系列MOSFET。重點(diǎn)展出的功率IC包括在不到180mm2面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)超過93%效率的2.8V～5.5V降壓穩(wěn)壓器，具有超快瞬態(tài)響應(yīng)的4.5V～15V microBUCK?穩(wěn)壓器，集成了TrenchFET功率MOSFET的3V～28V穩(wěn)壓器，以及采用5mm x 5mm雙側(cè)冷卻封裝的高密度70A DrMOS功率級(jí)。
針對(duì)汽車、商業(yè)和電信應(yīng)用，Vishay Semiconductors將著重展示采用各種超薄封裝的二極管，包括采用SMPA(DO-221BC)和SMPD(TO-263AC)封裝的45V～120V TMBS? Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器，采用SlimSMA(DO-221AC)和SMF (DO-219AB)封裝的FRED Pt?超快恢復(fù)整流器。另外，Vishay還將展示采用無焊膏壓合技術(shù)的EMIPAK-2B封裝的電源模塊。Vishay Semiconductors的光電子產(chǎn)品將是另一個(gè)亮點(diǎn)，例如白光高亮度、高功率LED模塊，高亮度0402和0603尺寸的ChipLED，PLCC2封裝的SMD LED，以及全集成的接近和環(huán)境光傳感器。
Vishay的無源元件將包括各種最新的傳感器和電阻。在突出位置展出的電阻包括具有模壓外殼的Vishay Dale Power Metal Strip?電池分流電阻，具有長(zhǎng)型端子焊盤和增強(qiáng)熱循環(huán)的通過AEC-Q200認(rèn)證的Vishay Draloric厚膜片式電阻，用于安全氣囊和焰火的Vishay Sfernice塊狀電煙火起爆器片式(MEPIC)電阻，通過AEC-Q200認(rèn)證的用于DC-link應(yīng)用的表面貼裝厚膜功率電阻；Vishay Dale薄膜片式電阻和公差只有0.01%的分壓器，以及Vishay MCB的水冷繞線電阻。
特色電容器包括通過AEC-Q200認(rèn)證的工作溫度可達(dá)150℃的Vishay Vitramon多層陶瓷片式電容器(MLCC)，Vishay Sprague高溫固鉭表面貼裝電容器和通過AEC-Q200認(rèn)證的小尺寸0603的器件，Vishay BCcomponents的使用壽命長(zhǎng)達(dá)6000小時(shí)的表面貼裝鋁電容器和用于汽車的陶瓷盤式安規(guī)電容器，Vishay ESTA功率電子電容器，用于DC-link應(yīng)用的Vishay Roederstein聚丙烯膜電容器。
另外，Vishay將在2014年中國(guó)（成都）電子展的展位進(jìn)行兩項(xiàng)產(chǎn)品演示。Vishay Siliconix將演示SiHP22N60E 600V E系列N溝道功率MOSFET。Vishay Semiconductors將演示手勢(shì)控制傳感器，電路板包括VCNL4020接近傳感器和兩個(gè)VSMF2890RGX01紅外發(fā)射器。
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