ams在光電子領(lǐng)域推出More Than Silicon計(jì)劃

ams(艾邁斯)晶圓代工業(yè)務(wù)部近日宣布拓展其0.35µm CMOS光電子IC晶圓制造平臺(tái)，幫助芯片設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。

該平臺(tái)是ams“More than Silicon”計(jì)劃中的另一項(xiàng)拓展，通過(guò)該平臺(tái)ams可以提供一系列技術(shù)模塊、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、元件庫(kù)、工程咨詢(xún)及服務(wù)，利用其專(zhuān)業(yè)技術(shù)幫助客戶(hù)順利開(kāi)發(fā)先進(jìn)的模擬和混合信號(hào)電路。

ams專(zhuān)有的光電子晶圓代工平臺(tái)基于先進(jìn)的0.35µm CMOS光電制程，在前端(器件層面)、后端(晶圓制造后期處理步驟)以及封裝和裝配層面都進(jìn)行了技術(shù)提升和開(kāi)發(fā)。

在器件層面，ams現(xiàn)為晶圓代工客戶(hù)提供在自定義波長(zhǎng)內(nèi)(從藍(lán)光到近紅外光)可實(shí)現(xiàn)最優(yōu)化光譜響應(yīng)和最小化暗電流率的PN二極管，以及結(jié)合了超低電容值和高量子效率的PIN二極管。

在晶圓加工過(guò)程的后端，光電子器件的性能可以通過(guò)應(yīng)用各種CMOS晶圓頂部涂層得到進(jìn)一步提升。ams推出了抗反射涂層(ARC)以及干涉濾波器：以多種高透明度的氧化物堆棧形式實(shí)現(xiàn)，可以實(shí)現(xiàn)高精度的邊緣和帶通濾波器(如阻隔IR和UV)，以及準(zhǔn)確反射率的反光鏡或分束鏡。客戶(hù)可在一個(gè)較寬的范圍內(nèi)自定義波長(zhǎng)、斜率等濾波性能。此外，通過(guò)針對(duì)特定波長(zhǎng)優(yōu)化處理后的粘合顏色層(紅、綠、藍(lán))，可以幫助感光器件實(shí)現(xiàn)性能優(yōu)化。

低引腳數(shù)IC現(xiàn)采用高性?xún)r(jià)比、透明的塑料封裝(以基板或者引腳框架為基礎(chǔ))。運(yùn)用ams專(zhuān)利硅穿孔(TSV)技術(shù)的先進(jìn)3D-WLCSP封裝在透射率、濕度敏感水平、溫度范圍以及高引腳數(shù)量方面都實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化，全面提升ams光電子平臺(tái)封裝水平。

ams多樣的光電子設(shè)器件種類(lèi)及后端制程可讓模擬/混合信號(hào)設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)其集成電路在波長(zhǎng)、量子效率、響應(yīng)率、暗電流以及器件反應(yīng)時(shí)間等重要指標(biāo)上的優(yōu)化。

ams晶圓代工業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Markus Wuchse表示：“所有二極管的信息，包括布局發(fā)生器(Pcells)、高精度仿真模型、設(shè)計(jì)規(guī)格以及制程工藝參數(shù)，都可在ams基準(zhǔn)制程設(shè)計(jì)套件中獲得。ams晶圓代工團(tuán)隊(duì)十分期望與先進(jìn)光電系統(tǒng)開(kāi)發(fā)者進(jìn)行合作。我們一流的設(shè)計(jì)環(huán)境以及專(zhuān)業(yè)的咨詢(xún)服務(wù)可讓合作伙伴將開(kāi)發(fā)風(fēng)險(xiǎn)和難度降到最低，使他們獲得高性能的光電子解決方案，并更快地將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。”