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瑞薩電子RZ/G2L開發(fā)板上手評(píng)測(cè)

  
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  • 5月18日,飛凌嵌入式發(fā)布了基于瑞薩電子RZ/G2L處理器開發(fā)的FET-G2LD-C核心板和OK-G2LD-C開發(fā)板。RZ/G2L處理器有著豐富的外設(shè)接口,在具有較高的性能表現(xiàn)的同時(shí)還兼具低功耗的特點(diǎn)。由于這款處理器上市時(shí)間較短,還有
5月18日,飛凌嵌入式發(fā)布了基于瑞薩電子RZ/G2L處理器開發(fā)的FET-G2LD-C核心板和OK-G2LD-C開發(fā)板。RZ/G2L處理器有著豐富的外設(shè)接口,在具有較高的性能表現(xiàn)的同時(shí)還兼具低功耗的特點(diǎn)。由于這款處理器上市時(shí)間較短,還有很多的工程師朋友對(duì)它不夠了解,存在很多疑問,為解答大家反饋較多的問題,今天小編專門針對(duì)FET-G2LD-C核心板和OK-G2LD-C開發(fā)板進(jìn)行了上手評(píng)測(cè)~
一、FET-G2LD-C核心板體驗(yàn)
先介紹下核心板的基礎(chǔ)配置:
CPU:RZ/G2L
雙核Arm Cortex-A55 @ 1.2GHz
單核Arm Cortex-M33 @ 200MHz
GPU:Arm MaliTM-G31 @ 500MHz
內(nèi)存:DDR4-1600(當(dāng)前版本為2GB大?。?/font>
存儲(chǔ):eMMC(16GB)+QSPI Flash(16MB)
電源:集成式電源芯片
與底板連接方式:超薄連接器
FET-G2LD-C核心板基于瑞薩高性能、超高效處理器 RZ/G2L設(shè)計(jì)開發(fā), 其采用多核異構(gòu),搭載Cortex-A55內(nèi)核,運(yùn)行頻率高達(dá)1.2GHz;并集成Cortex-M33 MCU內(nèi)核,主頻達(dá)200MHz。 FET-G2LD-C核心板配備500MHz GPU Mali-G31及多種顯示接口,功能接口資源豐富,支持多路UART、Ethernet、CAN-FD等, 適用于工業(yè)、醫(yī)療、電力、交通等多種行業(yè)和各類泛工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景。
FET-G2LD-C核心板正、反面實(shí)物圖
FET-G2LD-C核心板正、反面尺寸圖
得益于集成式的電源方案,整個(gè)核心板尺寸可以控制得非常小,僅有60mm x 38mm。在板對(duì)板超薄連接器的加持下,核心板到底板最高的部分(電感)距底板表面僅有5.6mm。適用于對(duì)空間要求苛刻的應(yīng)用場(chǎng)景。核心板采用沉金加樹脂塞孔的工藝,大大提升了焊接的可靠性以及穩(wěn)定性。并采用無鉛工藝,符合環(huán)保要求。同時(shí),對(duì)信號(hào)完整性以及電源完整性進(jìn)行了嚴(yán)格把控,通過仿真,為系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行提供理論依據(jù);核心板的4個(gè)角預(yù)留固定孔位,以應(yīng)對(duì)高強(qiáng)度震動(dòng)場(chǎng)景;此外還具有更為人性化的防呆設(shè)計(jì)。
二、RZ/G2L核心板穩(wěn)定性測(cè)試
1. 電源穩(wěn)定性測(cè)試:
為了測(cè)試電源的穩(wěn)定性,飛凌將RZ/G2L核心板調(diào)到滿載,通過示波器抓取各個(gè)測(cè)試點(diǎn)的波形:
核心板TP1波形
核心板TP2波形
核心板TP3波形
核心板TP4波形
核心板TP5波形
核心板TP6波形
核心板TP7波形
核心板TP9波形
核心板TP10波形
核心板TP11波形
三、內(nèi)存壓力測(cè)試:
FET-G2LD-C核心板內(nèi)存壓力測(cè)試的結(jié)果如下圖所示。
內(nèi)存壓力測(cè)試的結(jié)果
可以看出在滿載壓力測(cè)試中FET-G2LD-C核心板表現(xiàn)優(yōu)秀。
四、RZ/G2L 開發(fā)板初體驗(yàn)
飛凌嵌入式RZ / G2L 核心板配套開發(fā)板的底板布局緊湊,尺寸僅150mm x 130mm。但是接口非常豐富,有雙千兆網(wǎng)口、雙USB2.0、USB OTG、TF、雙路CAN-FD、RS485、MIPI-CSI、MIPI-DSI、音頻耳機(jī)輸出、音頻喇叭輸出、音頻MIC輸入、ADC等接口,板載WIFI&BT模塊,預(yù)留MIPI PCIe的4G模塊插槽。
外圍接口有相應(yīng)的防護(hù)電路,各個(gè)接口排布靠近板邊,方便用戶自己制作外殼或放置到機(jī)箱使用。
底板尺寸圖
1、開發(fā)板功耗測(cè)試
很多小伙伴對(duì)FET-G2LD-C核心板和OK-G2LD-C開發(fā)板的功耗比較關(guān)心,因此小編針對(duì)RZ/G2L系列整套開發(fā)板和單獨(dú)核心板分別進(jìn)行了初步的功耗測(cè)試,測(cè)試結(jié)果如下圖所示:
核心板在滿載狀態(tài)下,功耗僅為1.8w。得益于如此低的功耗,F(xiàn)ET-G2LD-C核心板可以采用無風(fēng)扇、無散熱片的設(shè)計(jì)(注:核心板處于空氣流動(dòng)良好的環(huán)境中,如果是密閉的環(huán)境則需要具體情況具體評(píng)估)。
2、開發(fā)板啟動(dòng)測(cè)試
OK-G2LD-C開發(fā)板支持TF卡燒寫,支持SCIF和Flash啟動(dòng)(暫不支持eMMC啟動(dòng)),底板撥碼旁邊的絲印就是不同狀態(tài)時(shí)的撥碼位置,可直接按照絲印進(jìn)行撥碼。如下圖所示撥碼開關(guān)為Flash啟動(dòng):
由于篇幅有限,本篇評(píng)測(cè)僅從大家提問較多的幾個(gè)維度展開,后續(xù)小編將會(huì)為大家?guī)砀喔敿?xì)的評(píng)測(cè)內(nèi)容,大家敬請(qǐng)期待!

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