第二輪通知丨2024第2屆第三代半導體及先進封裝技術(shù)創(chuàng)新大會暨展覽會
大會主題
“芯”材料 新領(lǐng)航
主辦單位
中國生產(chǎn)力促進中心協(xié)會新材料專業(yè)委員會
DT新材料
聯(lián)合主辦
深圳市寶安區(qū)半導體行業(yè)協(xié)會
支持單位
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
粵港澳大灣區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟
香港青年科學家協(xié)會
香港科技大學深港協(xié)同創(chuàng)新研究院
協(xié)辦單位
清華大學(深圳)研究院第三代半導體材料與器件研發(fā)中心
深圳市半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進會
深圳市集成電路行業(yè)協(xié)會
深圳先進電子材料國際創(chuàng)新研究院
粵港澳大灣區(qū)先進電子材料技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
陜西省半導體行業(yè)協(xié)會
山東省半導體行業(yè)協(xié)會
承辦單位
深圳市德泰中研信息科技有限公司
大會時間
2024年11月6—8日
大會地點
深圳國際會展中心(寶安)
摩爾定律逼近物理極限;新能源、人工智能以及低空經(jīng)濟等應(yīng)用需求快速發(fā)展,全球科技界和產(chǎn)業(yè)界亟需打破傳統(tǒng)半導體的限制。新一代半導體材料,以及先進封裝技術(shù),已成為開創(chuàng)行業(yè)新篇章的關(guān)鍵。
在此背景下,第2屆第三代半導體及先進封裝技術(shù)創(chuàng)新大會暨先進半導體展,應(yīng)運而生,通過集結(jié)全球智慧,從應(yīng)用需求出發(fā),共同研討并引領(lǐng)創(chuàng)新路徑,強化產(chǎn)學研的深度交流與緊密結(jié)合,推動先進電子產(chǎn)業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新,為電子信息產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力。
01 碳化硅論壇:800伏快充卷動碳化硅風云
碳化硅器件在高溫、高壓、高頻場景其性能遠優(yōu)越于傳統(tǒng)硅基器件,此前受限于成本高企及應(yīng)用場景不足,未能在商業(yè)層面裂變式增長。當前,處于風口中的800V高壓快充,恰好是碳化硅器件最合適的舞臺。未來兩年,碳化硅功率器件將在該領(lǐng)域率先爆發(fā)。
02 氮化鎵論壇:AI時代開疆拓土
數(shù)據(jù)中心40%以上的成本都與電力、功率和冷卻相關(guān)。因其自身的物理屬性,硅功率芯片在遇到數(shù)據(jù)中心流量增加時,將遇到處理能力的瓶頸。通過將氮化鎵功率芯片與數(shù)據(jù)中心的硬件進行整合,產(chǎn)生了一種新型的高壓直流輸電架構(gòu),其可靠性已通過量產(chǎn)認證,能有效提升10%以上的效率。
氮化鎵功率器件在數(shù)據(jù)中心中主要用于PSU電源供應(yīng)單元中,數(shù)據(jù)中心能耗管理需求大幅提高有望提升氮化鎵功率半導體需求。根據(jù)Yole預(yù)測,2022-2028年全球數(shù)據(jù)中心氮化鎵功率市場規(guī)模有望實現(xiàn)50%的年復合增長率。
03 先進封裝論壇:搶抓AI新機遇
先進封裝技術(shù)是延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵途徑。伴隨著AI技術(shù)蓬勃發(fā)展,先進封裝借此迅速擴大市場規(guī)模。我國高端先進封裝材料仍高度依賴進口,技術(shù)突破仍是重點。板級封裝是先進封裝技術(shù)中最為明確的發(fā)展方向之一,為國產(chǎn)設(shè)備提供了新的切入方向,為未來國產(chǎn)芯片突破摩爾定律奠定基礎(chǔ)。
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