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EDI CON China 2016新增射頻絕緣體上硅專題分會和主旨報告

  • 時間：2016-03-18 14:37:52

[導(dǎo)讀]將于4月19-21日在北京國家會議中心舉行的EDI CON China 2016(電子設(shè)計創(chuàng)新會議)的主辦方宣布，GLOBALFOUNDRIES射頻業(yè)務(wù)拓展和產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)Peter Rabbeni將在新開設(shè)的射頻絕緣體上硅(RF SOI)技術(shù)專題分會上做題為..

將于4月19-21日在北京國家會議中心舉行的EDI CON China 2016(電子設(shè)計創(chuàng)新會議)的主辦方宣布，GLOBALFOUNDRIES射頻業(yè)務(wù)拓展和產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)Peter Rabbeni將在新開設(shè)的射頻絕緣體上硅(RF SOI)技術(shù)專題分會上做題為《RF SOI：革新今天的無線電設(shè)計并推動明天的創(chuàng)新》的開幕主旨報告。來自Peregrine Semiconductor、TowerJazz、Simgui、AnalogSmith和上海交通大學(xué)的專家也將在RF SOI分會上發(fā)表演講或舉辦研習(xí)會。RF SOI分會的議題包括基材工程、設(shè)計的實現(xiàn)、CMOS功率放大器設(shè)計和高集成度控制設(shè)備。

Rabbeni先生的主旨報告將講述RF SOI在過去幾年中如何在移動射頻領(lǐng)域推動收發(fā)器和天線的性能改善、成本降低和結(jié)構(gòu)革新，從而實現(xiàn)了高速增長。在近階段，沒有其它射頻技術(shù)有如此大的影響力。隨著無線標(biāo)準(zhǔn)變得越來越具有挑戰(zhàn)性以及5G的即將推出，RF SOI有望繼續(xù)在創(chuàng)新結(jié)構(gòu)的開發(fā)方面扮演重要的角色。他的報告將闡述在這個技術(shù)領(lǐng)域我們已經(jīng)走到了哪里、將向何處去。關(guān)于RF SOI還可以參考《微波雜志》15年11/12月發(fā)表的文章《RF SOI：引起射頻系統(tǒng)設(shè)計的革命》

EDI CON China 2016最近宣布了中國雷達(dá)行業(yè)協(xié)會主辦的會議和中國電工學(xué)會主辦的電磁兼容大會/展覽將與其同期同地舉辦。主辦方預(yù)計將有3000多人參會。3天的會議包含80場技術(shù)會議和30場企業(yè)贊助的研習(xí)會以及座談會。技術(shù)會議將按以下主題分為若干分會：射頻、微波和高速數(shù)字設(shè)計，射頻/微波建模和測量，EMC/EMI，高速數(shù)字建模與測量，系統(tǒng)級測量與建模，系統(tǒng)設(shè)計。