一、單極型晶體管
單極型晶體管也稱場效應(yīng)管,簡稱FET(Field Effect Transistor)。它是一種電壓控制型器件,由輸入電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子(多數(shù)載流子)參與導電,故稱為單極型晶體管。
特點:
輸入電阻高,可達107 ~ 1015 Ω,絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET) 可高達 1015 Ω。
噪聲低,熱穩(wěn)定性好,工藝簡單,易集成,器件特性便于控制,功耗小,體積小,成本低。
分類:
根據(jù)材料的不同可分為結(jié)型場效應(yīng)管JFET (Junction Field Effect Transistor)和絕緣柵型場效應(yīng)管IGFET(Insulated Gate FET) 。
二、雙極型晶體管
雙極型晶體管也稱晶體三極管,它是一種電流控制型器件,由輸入電流控制輸出電流,其本身具有電流放大作用。它工作時有電子和空穴兩種載流子參與導電過程,故稱為雙極型三極管。
特點:
三極管可用來對微弱信號進行放大和作無觸點開關(guān)。它具有結(jié)構(gòu)牢固、壽命長、體積小、耗電省等一系列獨特優(yōu)點,故在各個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
分類:
根據(jù)材料的不同晶體三極管可分為硅管(Si)與鍺管(Ge)。
硅三極管的反向漏電流小,耐壓高,溫度漂移小,且能在較高的溫度下工作和承受較大的功率損耗。鍺三極管的增益大,頻率響應(yīng)好,尤其適用于低壓線路。
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