為何現(xiàn)在串口速率比并口速率要快?
并行通信的瓶頸:并行數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)向來是提高數(shù)據(jù)傳輸率的重要手段,但是,進一步發(fā)展卻遇到了障礙。首先,由于并行傳送方式的前提是用同一時序傳播信號,用同一時序接收信號,而過分提升時鐘頻率將難以讓數(shù)據(jù)傳送的時序與時鐘合拍,布線長度稍有差異,數(shù)據(jù)就會以與時鐘不同的時序送達(dá),另外,提升時鐘頻率還容易引起信號線間的相互干擾,導(dǎo)致傳輸錯誤。
串行通信的優(yōu)勢:串行通信雖然只有一位的位寬,但數(shù)據(jù)傳輸速度卻比并行口要高,原因在于它的差分結(jié)構(gòu),抗干擾能力強
漏極開路上拉電阻取值為何不能很大或很小?
如果上拉電阻值過小,VDD灌入端口的電流(Ic)將較大,這樣會導(dǎo)致MOS管(三極管)不完全導(dǎo)通(Ib*β
如果上拉電阻過大,加上線上的總線電容,由于RC影響,會帶來上升時間的增大,而且上拉電阻過大(下降延是芯片內(nèi)的晶體管,是有源驅(qū)動,速度較快;上升延是無源的外接電阻,速度慢),即引起輸出阻抗的增大,當(dāng)輸出阻抗和負(fù)載的阻抗可以比擬的時,則輸出的高電平會分壓而減少。
推挽和漏極開路區(qū)別?
推挽可直接驅(qū)動,驅(qū)動能力強,不具有線與功能。
漏極開路需外接上拉電阻,驅(qū)動能力弱,具有線與功能,但會帶來信號上升時間的延長
CPU的GPIO上電狀態(tài)?
一般CPU來說,GPIO上電狀態(tài)是輸入高阻狀態(tài),它的狀態(tài)由外圍電路決定。如果外接上拉電阻,就是高電平。如果外接下拉電阻,就是低電平。懸浮就是高阻狀態(tài)。
但有的CPU上電GPIO口默認(rèn)是高電平,是由于CPU復(fù)位后,弱上拉是默認(rèn)使能的,例如F020。
同步與異步傳輸?shù)膮^(qū)別是什么?
1,異步傳輸是面向字符的傳輸,而同步傳輸是面向比特的傳輸。
2,異步傳輸?shù)膯挝皇亲址絺鬏數(shù)膯挝皇菐?/p>
3,異步傳輸通過字符起止的開始和停止碼抓住再同步的機會,而同步傳輸則是以數(shù)據(jù)中抽取同步信息。
4,異步傳輸對時序的要求較低,同步傳輸往往通過特定的時鐘線路協(xié)調(diào)時序。
5,異步傳輸相對于同步傳輸效率較低。
同步傳輸是指通信雙方有共同的時鐘參考,能夠通過時鐘參考準(zhǔn)確收發(fā)數(shù)據(jù),通常這個時鐘參考是同步時鐘線或同一個時鐘源。異步傳輸是指通信雙方?jīng)]有共同的時鐘參考,通常每次收發(fā)數(shù)據(jù)時都需要有前導(dǎo)碼進行速率同步。
同步的有:SPI,STM、計算機的并口異步的有:RS-232串口、USB
(0)輸入阻抗是對負(fù)載而言,輸出阻抗主要是對電源端而言。。。
電壓,電流的內(nèi)阻即相當(dāng)于輸出阻抗。
負(fù)載相對于輸入阻抗。
對于電壓源,輸入阻抗越大越好(例如一個實際電源由電源加內(nèi)阻組成,當(dāng)負(fù)載過小(輸入阻抗太小),顯然該負(fù)載獲的得電壓會小于電源電壓,產(chǎn)生偏差)
對電流源,輸入阻抗越小越好(一個恒流源由電流源加內(nèi)阻組成,當(dāng)負(fù)載遠(yuǎn)小于內(nèi)阻時候,才能保證恒定電流不變)。當(dāng)示波器接入光探頭,探頭的輸入阻抗要更改成50歐姆的原因
(1)請教RAIL-TO-RAIL運放和普通運放有什么區(qū)別?
r2r運放的輸出范圍差不多達(dá)到電源電壓。而一般運放得減一兩伏。
RAIL-TO-RAIL就是軌對軌型,輸出電壓接近供電電源電壓
(2)鐵電存儲器優(yōu)勢
目前Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類:串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24 系列和SPI三線方式的FM25 系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24 、25 型的E2PROM引腳及時序兼容,可以直接替換。
鐵電的優(yōu)勢就在于相當(dāng)于無限次的擦寫,且寫數(shù)據(jù)不用等5ms。如果不考慮這兩方面的因素大可以用EEPROM或FLASH。但價格只要比EEPROM貴20%
(3)開關(guān)電源布線注意哪些?
在開關(guān)電源中,PCB版面布局圖非常重要,開關(guān)電流與環(huán)線電感密切相關(guān),由這種環(huán)線電感所產(chǎn)生的暫態(tài)電壓往往會引起許多問題。要使這種感應(yīng)最小、地線形成回路,圖中所示的粗線部分在PCB板上要印制得寬一點,且要盡可能地短。為了取得最好的效果,外接元器件要盡可能地靠近開關(guān)型集成電路,最好用地線屏蔽或單點接地。最好使用磁屏蔽結(jié)構(gòu)的電感器,如果所用電感是磁芯開放式的,那么,對它的位置必須格外小心。如果電感通量和敏感的反饋線相交叉,則集成電路的地線及輸出端的電容COUT的連線可能會引起一些問題。在輸出可調(diào)的方案中,必須特別注意反饋電阻及其相關(guān)導(dǎo)線的位置。在物理上,一方面電阻要靠近IC,另一方面相關(guān)的連線要遠(yuǎn)離電感,如果所用電感是磁芯開放式的,那么,這一點就顯得更加重要。
(4)運放電源有時要正負(fù)雙電源+VCC 和-VCC,請問如何接法?有時為什么有的運放單電源供電?
每一個系統(tǒng)都有一個相對的地電位,也就是電路中的GND。相對于這個電勢,來確定+VCC和-VCC。在電路中的接法是,電源的地線接電路的GND,電源+VCC接電路+VCC,對于負(fù)電壓,把高點位的電源線接在電路的GND上,而把其地線接在電路的-VCC位置上,即可達(dá)到相對電勢的要求。
例如:兩個不相關(guān)的5V電源串起來,中點接地,兩端就是+5V和-5V。
(5) 運放外接電阻取值問題 ?
平常我們運放周邊匹配電阻的取值一般在1K-幾十K之間,原因何在?
外接電阻亦不能取得過大,如選用MΩ級亦不合適。其原因有二:①電阻值是有誤差的,阻值越大,絕對誤差值越大。如2MΩ的電阻E1:系列電阻誤差值為:10%,其阻值(2.2~1.8)MΩ范圍均是允許的,即使選E4s系列的電阻(誤差為:2%)阻值范圍在(2.04~1.96)MΩ之內(nèi);且電阻值會隨溫度和時間的變化而產(chǎn)生時效誤差,使阻值不穩(wěn)定,影響運算精度;②運放的微小失調(diào)電流會在外接高阻值電阻上引起較大的誤差信號。
外接電阻取值太小,會使得運放的輸入電阻減少,增加運放功耗,即增加信號源負(fù)載(這里負(fù)載即是運放)。
(6)NTC熱敏電阻計算方法?
現(xiàn)在低成本測溫方案中NTC熱敏電阻用的比較多,一般采用查表的方法獲取溫度值,這就牽涉到溫度和阻值的對應(yīng)關(guān)系。如果你從廠家購買NTC熱敏電阻可以向廠家所要溫度阻值對照表,但是對于普通愛好者來說都是從零售商那里購買熱敏電阻,賣元件的大叔和阿姨是不會向你提供阻值和溫度對照表的。通常的方法是用標(biāo)準(zhǔn)溫度計,環(huán)境溫度沒上升一度測量一下熱敏電阻的阻值,通過這種方法獲得阻值和溫度的對應(yīng)關(guān)系工作比較煩瑣,誤差比較大,另外溫度變化不好控制;還有一種方法就是通過公式計算得到R-T表,雖然NTC熱敏電阻溫度和阻值不是呈線性的關(guān)系,但通過下面的公式仍能計算出溫度和阻值的對應(yīng)關(guān)系:
Rt = R *EXP(B*(1/T1-1/T2))
對上面的公式解釋如下:
1. Rt 是熱敏電阻在T1溫度下的阻值;
2. R是熱敏電阻在T2常溫下的標(biāo)稱阻值;
3. B值是熱敏電阻的重要參數(shù);
4. EXP是e的n次方;
5. 這里T1和T2指的是K度即開爾文溫度,K度=273.15(絕對溫度)+攝氏度;
例如我手頭有一個 MF58502F327型號的熱敏電阻
MF58—— 型號玻璃封裝
502 —— 常溫25度的標(biāo)稱阻值為5K
F —— 允許偏差為±1%
327 —— B值為3270K的NTC熱敏電阻
那它的R=5000, T2=273.15+25,B=3270, RT=5000*EXP(3270*(1/T1-1/(273.15+25))), 這時候代入T1溫度就可以求出相應(yīng)溫度下熱敏電阻的阻值,注意溫度單位的轉(zhuǎn)換,例如我們要求零上10攝氏度的阻值,那么T1就為(273.15+10)。
(7)負(fù)載重,負(fù)載輕什么意思,誰能說說??
比方說一個電源正常工作電流為10A,那麼可以說10A就是重載,也叫滿載,0A就是空載,輕載就不能具體的定義了,0.5A是輕載,1A也算輕載,2A也算輕載
業(yè)界一般認(rèn)為10%的額定電流稱為輕載,100%的額定電流稱為滿載,超過額定電流則為過載
(8) 0805電阻小知識
0805封裝是外形尺寸英制0.08英寸*0.05英寸,轉(zhuǎn)換成公制為2.03mm*1.27mm,在我國這個功率規(guī)定是1/8W(一般工業(yè)級)。1英寸=2.54厘米
(9)三極管和MOS管自己一點認(rèn)識
對于三極管是基極電流驅(qū)動,當(dāng)電流越大,集電極電流可達(dá)越大(滿足一定條件),在某個特定基極電流值的時候,集電流都有個飽和值(即飽和電流),datsheet的飽和電流是指的最大飽和電流,對于不同的基極電流,都有對應(yīng)飽和電流。
對于MOS管一樣,只是電壓驅(qū)動,Vgs>Vt(啟動電壓),就可以導(dǎo)通,Vgs越大,最大導(dǎo)通電流越大(滿足一定條件)
(10)續(xù)流二極管
續(xù)流二極管,是反向并聯(lián)在電感線圈兩端,為其產(chǎn)生的反向電動勢提供消能回路的整流管.
例如在繼電器線圈兩端反向接的那個二極管或單向可控硅兩端反向接的也都是為什么要反向接個二極管呢?因為繼電器的線圈是一個很大的電感,它能以磁場的形式儲存電能,所以當(dāng)他吸合的時候存儲大量的磁場當(dāng)控制繼電器的三極管由導(dǎo)通變?yōu)榻刂習(xí)r線圈斷電但是線圈里有磁場這時將產(chǎn)生反向電動勢電壓高達(dá)1000v以上很容易擊穿推動三極管或其他電路元件,這是由于二極管的接入正好和反向電動勢方向一致把反向電勢通過續(xù)流二極管以電流的形式中和掉從而保護了其他電路元件,因此它一般是開關(guān)速度比較快的二極管
(11)開關(guān)頻率
既然輸入輸出都是直流怎么還有個開關(guān)頻率呢?比如MP1410工作在固定的380K,LM2624工作在260K,都是DC to DC芯片
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頻率高的情況下,開關(guān)管的通斷損耗將增加,銅損和鐵損也會增加. 不過頻率越高,開關(guān)電源的體積可以越小一些(頻率越高,電感越?。?因此要選擇合適的頻率 |
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(12)source insight調(diào)整字體大小
在Option里的Document Option(ALT+T)
左邊有個Screen Font,點進去就可以設(shè)置了
(13)ppm,BER,sps是什么意思?
ppm: 百萬分之一
BER:(BER:bit error ratio)是衡量數(shù)據(jù)在規(guī)定時間內(nèi)數(shù)據(jù)傳輸精確性的指標(biāo)。誤碼率=傳輸中的誤碼/所傳輸?shù)目偞a數(shù)*100%。如果有誤碼就有誤碼率。
sps: (sample per second)采用率: 即每秒采樣點 個數(shù) 一次轉(zhuǎn)換時間= 1/采樣率
(14)跨導(dǎo),跨阻的含義?
跨導(dǎo):電壓轉(zhuǎn)電流
跨阻:電流轉(zhuǎn)電壓
(15)mAh單位含義?
mAh不是標(biāo)準(zhǔn)單位,但是這個單位可以很方便的用于計量和計算. “mAh”是電池容量的單位
比如一顆900mAh的電池可以提供300mA恒流的持續(xù)3小時的供電能力.
(16)ppm/℃是什么單位?什么意思?
在基準(zhǔn)電壓的數(shù)據(jù)手冊里,我們會找到一個描述基準(zhǔn)性能的直流參數(shù),稱為溫度漂移(也稱溫度系數(shù))或簡稱TC(Temperature Coefficient),通常以ppm/℃表示。對于基準(zhǔn)電壓而言,1ppm/℃表示當(dāng)環(huán)境溫度在某個參考點(通常是25℃)每變化1℃,輸出電壓偏離其標(biāo)稱值的百萬分之一。例如,某電壓基準(zhǔn)標(biāo)稱值為2.5V,TC為±10ppm/℃,那么當(dāng)環(huán)境溫度在25℃基礎(chǔ)上每變化1℃和10℃時,其輸出電壓將變?yōu)椋? 2.5V±10ppm/℃X1℃=2.5V±0.000025V 2.5V±10ppm/℃X10℃=2.5V±0.00025V
(17)模擬地數(shù)字地為何要分開?、
事實上,數(shù)字電路具有噪聲,飽和邏輯(例如TTL和CMOS)在開關(guān)過程中會短暫地從電源吸入大電流,從而在數(shù)字地上引起的噪聲就會很大,但由于邏輯級的抗擾度可達(dá)數(shù)百毫伏以上(由于電感引起--電流變化產(chǎn)生的感應(yīng)電壓),因而通常對電源去耦的要求不高。相反,模擬電路非常容易受噪聲影響—包括在電源軌和接地軌上—因此,為了防止數(shù)字噪聲影響模擬性能,應(yīng)該把模擬電路和數(shù)字電路分開
(18)如何理解輸出電阻小,則帶負(fù)載能力強?
輸出電阻小就是內(nèi)阻小你用電池難道不希望內(nèi)阻小點的電池。你就想成內(nèi)阻和你的負(fù)載分壓,內(nèi)阻越小分到的電壓越小,你的負(fù)載得到的電壓越大,所以帶負(fù)載能力強
(19)為何用萬用表量電路板的電阻時需斷電?
原理是萬用表提供一個低電壓的基準(zhǔn)源,萬用表內(nèi)部采用標(biāo)準(zhǔn)電阻串聯(lián),分壓計算測試電阻值
(20)為什么濾高頻選擇小電容而濾低頻選擇大電容的問題,面試官當(dāng)時說從理論上講電容的阻抗為1/jwC,對于高頻信號,明顯電容越大阻抗越小,這樣不是更有利于濾掉高頻信號嗎?
實際的電容由于存在電感效應(yīng)通常需要等效成一個電容、一個電感和一個電阻的串聯(lián)形式,如下圖所示:
電源濾波主要利用電容的隔直流、通交流的特性,干擾信號的頻率越靠近電容的自諧振頻率,干擾信號越容易被電容徹底過濾掉。大容值的電容通常具有較大的等效電感,因而其自諧振頻率較小,所以比較適合用于濾除低頻干擾噪聲;小容值的電容通常等效電感也較小,因此自諧振頻率較大,所以適合用于濾除高頻干擾噪聲
(21)萬用表三位半?四位半什么意思?
3位半本意指有3位可以顯示0~9的數(shù)碼管,還有一位最高位是只能顯示0和1,這個最高位的如果是1,后三位是999,那么就是1999
謂3位半的3位是指可以顯示0-9的十個數(shù)字,稱作全位。千位數(shù)最大顯示為1(小于1時消隱),這位在理論上講最大應(yīng)該顯示2,比如在2V擋,最大顯示應(yīng)該是2000(省略小數(shù)點),但實際顯示1999,和理論值還差一點。那么這位理論值最大應(yīng)該顯示2,而實際只能顯示1,就叫做1/2位。理論值為分母,實際顯示最大值為分子。4位半的也同理。
3-3/4位 最大顯示為3999,理論值最大顯示應(yīng)為4000,和上述道理相同,千位為3/4位,再加上3個全位,就是3-3/4位,讀作3又4分之3位。
(22)有源探頭和無源探頭主要區(qū)別?
有源探頭比無源探頭的輸入電容要小,以此測量高頻信號更準(zhǔn)
(23)風(fēng)扇轉(zhuǎn)速是怎么檢測的原理?
簡單說就是霍爾元件產(chǎn)生脈沖,然后檢測脈沖頻率來測速。風(fēng)扇每轉(zhuǎn)一圈,內(nèi)部的檢測電路便由測速線(一般是黃色)向主板上的計數(shù)電路發(fā)出2個脈沖信號,主板的測速芯片只需要計算每秒或每分鐘接收到多少個脈沖信號便可實現(xiàn)測速了。
(24)晶振出來的時鐘波形是正弦波還是方波?
有源晶振是輸出方波還是正弦波,就看它的內(nèi)部電路有沒有加整型電路了;無源晶振是輸出正弦波。
采用晶振只是因為晶體的諧振頻率和RLC電路相比比較穩(wěn)定。諧振的結(jié)果就是選通特定的頻率,而常說的方波是由一系列正弦組成的。因為晶振本身沒法產(chǎn)生方波!而又由于組成震蕩電路一般會用數(shù)字電路,震蕩電路一般會用一級門電路去整型輸出信號,因此輸出是方波。