STC89C52內(nèi)部EEPROM
STC89C52RC 2KEEPROM
傳統(tǒng)的 EEPROM是電可擦可編程只讀存儲(chǔ)一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。
STC89C52RC的 EEPROM是通過(guò) ISP/IAP 技術(shù)讀寫內(nèi)部 FLASH 來(lái)實(shí)現(xiàn) EEPROM。
STC89C52RC的 EEPROM起始地址為 0x2000,以 512字節(jié)為一個(gè)扇區(qū),EERPOM的大小為 2K字節(jié)。
STC89C52RC 與 EEPORM 實(shí)現(xiàn)的寄存器有 6 個(gè),分別是 ISP_DATA、ISP_ADDRH、ISP_ADDRL ISP_TRIG、ISP_CMD、ISP_CONTR。
EEPROM的命令觸發(fā)必須對(duì) ISP_TRIG寄存器先寫入 0x46,再寫入 0xB9。
無(wú)論單片機(jī)運(yùn)行在什么工作頻率下,EEPROM的讀、寫、擦除操作的所需要的時(shí)間分別約為 10us、60us、10ms,因而要對(duì) ISP_CONTR設(shè)置好等待時(shí)間,否則數(shù)據(jù)容易出現(xiàn)問(wèn)題。
#include "stc.h"
#include
typedef unsigned char UINT8;
typedef unsigned int UINT16;
typedef unsigned long UINT32;
typedef char INT8;
typedef int INT16;
typedef long INT32;
#define NOP() _nop_()
#define EEPROM_START_ADDRESS 0x2000
#define LED_PORT P2
void DelayNus(UINT16 t)
{
UINT16 d=0;
d=t;
do
{
NOP();
}while(--d >0);
}
void DelayNms(UINT16 t)
{
do
{
DelayNus(1000);
}while(--t >0);
}
void EEPROMEnable(void)
{
ISP_CONTR=0x81;//使能并設(shè)置好等待時(shí)間
}
void EEPROMDisable(void)
{
ISP_CONTR=0x00; //禁止EEPROM
ISP_CMD=0x00; //無(wú)ISP 操作
ISP_TRIG=0x00; //清零
ISP_ADDRH=0x00; //清零
ISP_ADDRL=0x00; //清零
}
void EEPROMSetAddress(UINT16 addr)
{
addr+=EEPROM_START_ADDRESS; //初始化地址為0x2000
ISP_ADDRH=(UINT8)(addr>>8); //設(shè)置讀寫地址高字節(jié)
ISP_ADDRL=(UINT8) addr; //設(shè)置讀寫地址低字節(jié)
}
void EEPROMStart(void)
{
ISP_TRIG=0x46; //首先寫入0x46
ISP_TRIG=0xB9; //然后寫入0xB9
}
UINT8 EEPROMReadByte(UINT16 addr)
{
ISP_DATA=0x00; //清空ISP_DATA
ISP_CMD=0x01; //讀模式
EEPROMEnable(); //EEPROM 使能
EEPROMSetAddress(addr); //設(shè)置EEPROM 地址
EEPROMStart(); //EEPROM 啟動(dòng)
DelayNus(10); //讀取一個(gè)字節(jié)要10us
EEPROMDisable(); //禁止EEPROM
return (ISP_DATA); //返回讀取到的數(shù)據(jù)
}
void EEPROMWriteByte(UINT16 addr,UINT8 byte)
{
EEPROMEnable(); //EERPOM 使能
ISP_CMD=0x02; //寫模式
EEPROMSetAddress(addr); //設(shè)置EEPROM 地址
ISP_DATA=byte; //寫入數(shù)據(jù)
EEPROMStart(); //EEPROM 啟動(dòng)
DelayNus(60); //寫一個(gè)字節(jié)需要60us
EEPROMDisable(); //禁止EEPROM
}
void EEPROMSectorErase(UINT16 addr)
{
ISP_CMD=0x03; //扇區(qū)擦除模式
EEPROMEnable(); //EEPROM 使能
EEPROMSetAddress(addr);//設(shè)置EEPROM 地址
EEPROMStart(); //EEPROM 啟動(dòng)
DelayNms(10); //擦除一個(gè)扇區(qū)要10ms
EEPROMDisable(); //禁止EEPROM
}
void main(void)
{
UINT8 i=0;
EEPROMSectorErase(0); //從EEPROM 的相對(duì)0 地址扇區(qū)擦除
EEPROMWriteByte(0,0x88);//從EEPROM 的相對(duì)0 地址寫入0x88
i=EEPROMReadByte(0); //從EERPOM 的相對(duì)0 地址讀取數(shù)據(jù)
LED_PORT=~i; //讀取的數(shù)據(jù)從IO 口演示
while(1); //死循環(huán)
}
EEPROM 的 實(shí) 現(xiàn) 代 碼 很 簡(jiǎn) 單 , 掌 握 EEPROMReadByte、 EEPROMWriteByte、EEPROMSectorErase函數(shù)就可以了。
扇區(qū)擦除的作用要了解清楚,因?yàn)閷戇^(guò)的字節(jié)不能重復(fù)寫,只有待扇區(qū)擦除后才能重新寫。
同一次修改的數(shù)據(jù)放在同一扇區(qū)中,單獨(dú)修改的數(shù)據(jù)放在另外的扇區(qū),就不需讀出保護(hù)。
如果一個(gè)扇區(qū)只用一個(gè)字節(jié),那就是真正的EEPROM,STC單片機(jī)的Flash比外部EEPROM快很多。
如果同一個(gè)扇區(qū)中存放一個(gè)以上的字節(jié),某次只需要修改其中的一個(gè)字節(jié)或一部分字節(jié)時(shí)
則另外不需要修改的數(shù)據(jù)須先讀出放在 STC單片機(jī)的 RAM當(dāng)中,然后擦除整個(gè)扇區(qū),再
將需要保留的數(shù)據(jù)一并寫回該扇區(qū)中。這時(shí)每個(gè)扇區(qū)使用的字節(jié)數(shù)據(jù)越少越方便。