LDO

摘要：本文論述了低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的基本原理和主要參數(shù)，并介紹LDO的典型應(yīng)用和國內(nèi)發(fā)展概況。

引言

便攜電子設(shè)備不管是由交流市電經(jīng)過整流(或交流適配器)后供電，還是由蓄電池組供電，工作過程中，電源電壓都將在很大范圍內(nèi)變化。比如單體鋰離子電池充足電時的電壓為4.2V，放完電后的電壓為2.3V，變化范圍很大。各種整流器的輸出電壓不僅受市電電壓變化的影響，還受負(fù)載變化的影響。為了保證供電電壓穩(wěn)定不變，幾乎所有的電子設(shè)備都采用穩(wěn)壓器供電。小型精密電子設(shè)備還要求電源非常干凈(無紋波、無噪聲)，以免影響電子設(shè)備正常工作。為了滿足精密電子設(shè)備的要求，應(yīng)在電源的輸入端加入線性穩(wěn)壓器，以保證電源電壓恒定和實(shí)現(xiàn)有源噪聲濾波[1]。

一.LDO的基本原理

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的基本電路如圖1-1所示，該電路由串聯(lián)調(diào)整管VT、取樣電阻R1和R2、比較放大器A組成。

圖1-1 低壓差線性穩(wěn)壓器基本電路

取樣電壓加在比較器A的同相輸入端，與加在反相輸入端的基準(zhǔn)電壓Uref相比較，兩者的差值經(jīng)放大器A放大后，控制串聯(lián)調(diào)整管的壓降，從而穩(wěn)定輸出電壓。當(dāng)輸出電壓Uout降低時，基準(zhǔn)電壓與取樣電壓的差值增加，比較放大器輸出的驅(qū)動電流增加，串聯(lián)調(diào)整管壓降減小，從而使輸出電壓升高。相反，若輸出電壓Uout超過所需要的設(shè)定值，比較放大器輸出的前驅(qū)動電流減小，從而使輸出電壓降低。供電過程中，輸出電壓校正連續(xù)進(jìn)行，調(diào)整時間只受比較放大器和輸出晶體管回路反應(yīng)速度的限制。

應(yīng)當(dāng)說明，實(shí)際的線性穩(wěn)壓器還應(yīng)當(dāng)具有許多其它的功能，比如負(fù)載短路保護(hù)、過壓關(guān)斷、過熱關(guān)斷、反接保護(hù)等，而且串聯(lián)調(diào)整管也可以采用MOSFET。

二.低壓差線性穩(wěn)壓器的主要參數(shù)

1.輸出電壓(Output Voltage)

輸出電壓是低壓差線性穩(wěn)壓器最重要的參數(shù)，也是電子設(shè)備設(shè)計(jì)者選用穩(wěn)壓器時首先應(yīng)考慮的參數(shù)。低壓差線性穩(wěn)壓器有固定輸出電壓和可調(diào)輸出電壓兩種類型。固定輸出電壓穩(wěn)壓器使用比較方便，而且由于輸出電壓是經(jīng)過廠家精密調(diào)整的，所以穩(wěn)壓器精度很高。但是其設(shè)定的輸出電壓數(shù)值均為常用電壓值，不可能滿足所有的應(yīng)用要求，但是外接元件數(shù)值的變化將影響穩(wěn)定精度。

2.最大輸出電流(Maximum Output Current)

用電設(shè)備的功率不同，要求穩(wěn)壓器輸出的最大電流也不相同。通常，輸出電流越大的穩(wěn)壓器成本越高。為了降低成本，在多只穩(wěn)壓器組成的供電系統(tǒng)中，應(yīng)根據(jù)各部分所需的電流值選擇適當(dāng)?shù)姆€(wěn)壓器。

3.輸入輸出電壓差(Dropout Voltage)

輸入輸出電壓差是低壓差線性穩(wěn)壓器最重要的參數(shù)。在保證輸出電壓穩(wěn)定的條件下，該電壓壓差越低，線性穩(wěn)壓器的性能就越好。比如，5.0V的低壓差線性穩(wěn)壓器，只要輸入5.5V電壓，就能使輸出電壓穩(wěn)定在5.0V。

4.接地電流(Ground Pin Current)

接地電路IGND是指串聯(lián)調(diào)整管輸出電流為零時，輸入電源提供的穩(wěn)壓器工作電流。該電流有時也稱為靜態(tài)電流，但是采用PNP晶體管作串聯(lián)調(diào)整管元件時，這種習(xí)慣叫法是不正確的。通常較理想的低壓差穩(wěn)壓器的接地電流很小。

5.負(fù)載調(diào)整率(Load Regulation)

負(fù)載調(diào)整率可以通過圖2-1和式2-1來定義，LDO的負(fù)載調(diào)整率越小，說明LDO抑制負(fù)載干擾的能力越強(qiáng)。

圖2-1 Output Voltage&Output Current

(2-1)

式中

△Vload—負(fù)載調(diào)整率

Imax—LDO最大輸出電流

Vt—輸出電流為Imax時，LDO的輸出電壓

Vo—輸出電流為0.1mA時，LDO的輸出電壓

△V—負(fù)載電流分別為0.1mA和Imax時的輸出電壓之差

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6.線性調(diào)整率(Line Regulation)

線性調(diào)整率可以通過圖2-2和式2-2來定義，LDO的線性調(diào)整率越小，輸入電壓變化對輸出電壓影響越小，LDO的性能越好。

圖2-2 Output Voltage&Input Voltage

(2-2)

式中

△Vline—LDO線性調(diào)整率

Vo—LDO名義輸出電壓

Vmax—LDO最大輸入電壓

△V—LDO輸入Vo到Vmax'輸出電壓最大值和最小值之差

7.電源抑制比(PSSR)

LDO的輸入源往往許多干擾信號存在。PSRR反映了LDO對于這些干擾信號的抑制能力。

三.LDO的典型應(yīng)用

低壓差線性穩(wěn)壓器的典型應(yīng)用如圖3-1所示。圖3-1(a)所示電路是一種最常見的AC/DC電源，交流電源電壓經(jīng)變壓器后，變換成所需要的電壓，該電壓經(jīng)整流后變?yōu)橹绷麟妷骸Ｔ谠撾娐分?，低壓差線性穩(wěn)壓器的作用是：在交流電源電壓或負(fù)載變化時穩(wěn)定輸出電壓，抑制紋波電壓，消除電源產(chǎn)生的交流噪聲。

各種蓄電池的工作電壓都在一定范圍內(nèi)變化。為了保證蓄電池組輸出恒定電壓，通常都應(yīng)當(dāng)在電池組輸出端接入低壓差線性穩(wěn)壓器，如圖3-1(b)所示。低壓差線性穩(wěn)壓器的功率較低，因此可以延長蓄電池的使用壽命。同時，由于低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出電壓與輸入電壓接近，因此在蓄電池接近放電完畢時，仍可保證輸出電壓穩(wěn)定。

眾所周知，開關(guān)性穩(wěn)壓電源的效率很高，但輸出紋波電壓較高，噪聲較大，電壓調(diào)整率等性能也較差，特別是對模擬電路供電時，將產(chǎn)生較大的影響。在開關(guān)性穩(wěn)壓器輸出端接入低壓差線性穩(wěn)壓器，如圖2-3(c)所示，就可以實(shí)現(xiàn)有源濾波，而且也可大大提高輸出電壓的穩(wěn)壓精度，同時電源系統(tǒng)的效率也不會明顯降低。

在某些應(yīng)用中，比如無線電通信設(shè)備通常只有一足電池供電，但各部分電路常常采用互相隔離的不同電壓，因此必須由多只穩(wěn)壓器供電。為了節(jié)省共電池的電量，通常設(shè)備不工作時，都希望低壓差線性穩(wěn)壓器工作于睡眠狀態(tài)。為此，要求線性穩(wěn)壓器具有使能控制端。有單組蓄電池供電的多路輸出且具有通斷控制功能的供電系統(tǒng)如圖3-1(d)所示。

圖3-1 低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)典型應(yīng)用

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四.國內(nèi)LDO發(fā)展概況

中國集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)經(jīng)過40余年的發(fā)展，已經(jīng)形成了一個良好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，并已經(jīng)進(jìn)入了一個加速發(fā)展的新階段[2]。借鑒國外先進(jìn)技術(shù)，充分利用國內(nèi)優(yōu)惠政策，是當(dāng)前國內(nèi)各個IC公司發(fā)展的立足點(diǎn)。

作為被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、DVD、數(shù)碼相機(jī)以及Mp3等多種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的穩(wěn)壓芯片，LDO已引起人們的高度重視。國內(nèi)早期從事LDO生產(chǎn)的圣邦微電子有限公司生產(chǎn)的SG2001、SG2002及SG2003系列LDO，足以滿足當(dāng)前市場上主流電壓、電流的需要;它的SG2004、SG2011以及SG2012系列產(chǎn)品，非常適合于大電流負(fù)載應(yīng)用;而它的SGM2007/2006/2005系列RF LDO更適用于手機(jī)電源的應(yīng)用。盡管是國產(chǎn)芯片，但這些芯片的性能絲毫不遜色于國外同類產(chǎn)品，而價格更適合于當(dāng)前國內(nèi)市場。

由此看來，國內(nèi)與國外IC發(fā)展的差距將不會越來越大，每個國人都可以相信，中國不僅可以成為IC產(chǎn)業(yè)的新興地區(qū)，更能成為世界IC強(qiáng)國。

參考文獻(xiàn)

1.王國華，王鴻麟，羊彥等.便攜電子設(shè)備電源管理技術(shù).西安電子科技大學(xué)出版社.2004,1

2.藺建文.正在崛起的中國集成電路產(chǎn)業(yè).國家集成電路設(shè)計(jì)西安產(chǎn)業(yè)化基地.2002

作者：曹會賓

在選擇低壓降線性調(diào)節(jié)器(LDO) 時,需要考慮的基本問題包括輸入電壓范圍、預(yù)期輸出電壓、負(fù)載電流范圍及其封裝的功耗能力。但是,便攜式應(yīng)用通常還需要考慮更多問題,比如接地電流或靜態(tài)電流 (IGND 或 IQ)、電源波紋抑制比 (PSRR)、噪聲與封裝大小等通常也是為便攜式應(yīng)用決定最佳 LDO 選擇的考慮要素。

輸入、輸出以及降低電壓

首先要選擇輸入電壓范圍可以適應(yīng)電源的LDO。表1列出了便攜式設(shè)備所采用的流行電池的電壓范圍。

在確定 LDO 是否能夠提供預(yù)期輸出電壓時,需要考慮其壓降。輸入電壓必須大于預(yù)期輸出電壓與特定壓降之和,即 VIN >VOUT + VDROPOUT。如果 VIN 降低至必需的電壓以下,則我們說 LDO 出現(xiàn)“壓降”,輸出等于輸入減去旁路元件 (pass element) 的 RDS(on) 乘以負(fù)載電流。

需要注意壓降時的性能變化。驅(qū)動旁路晶體管的誤差放大器完全打開或者出于“待發(fā)狀態(tài)”(cocked),因此不產(chǎn)生任何環(huán)路增益。這意味著線路與負(fù)載調(diào)節(jié)性能很差。另外,PSRR 在壓降時也會顯著降低。

選用可提供預(yù)期輸出電壓的 LOD 作為節(jié)省外部電阻分壓器成本與空間的固定選項(xiàng),外部電阻分壓器一般用于設(shè)置可調(diào)器件的輸出電壓。利用可調(diào) LDO 可以設(shè)置輸出,以提供內(nèi)部參考電壓,其一般為 1.2V 左右,只需把輸出連接到反饋引腳。請與廠商確認(rèn)是否具備該功能。

負(fù)載電流要求

考慮負(fù)載需要的電流量并據(jù)此選擇 LDO。請注意,比如額定電流為150mA 的 LDO 可能會在短時間內(nèi)提供高出很多的電流。請查驗(yàn)最低輸出電流限值規(guī)范,或者咨詢有關(guān)廠商。

封裝與功耗

便攜式應(yīng)用本身存在空間限制,因此解決方案的大小至關(guān)重要。裸片可以最小化尺寸,但是缺乏封裝的諸多優(yōu)勢,如保護(hù)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)以及能夠被現(xiàn)有裝配架構(gòu)輕松采用等特性。芯片級封裝 (CSP) 能在提供裸片的尺寸優(yōu)勢的同時還可以帶來封裝的許多優(yōu)勢。

在無線手持終端市場需求的推動下,CSP產(chǎn)品正不斷推陳出新。例如,采用0.84mm×1.348mm CSP的德州儀器 200mA RF LDO于2003年9月份上市,其采用可輕松裝配的高板級可靠性的技術(shù)。其他小型封裝包括流行的3mm×3mm SOT-23、小型2.13mm×2.3mm SC-70,以及亞1毫米高度封裝 (sub-1-mm-height package)、ThinSOT及無引線四方扁平封裝 (QFN)。由于在下側(cè)采用了能夠在器件與PC板之間建立高效散熱接觸的散熱墊,QFN 因而可提供更好的散熱特性。

請注意不要超過封裝的最大功耗額定值。功耗可以采用PDISSIPATION = (VIN-VOUT)/(IOUT + IQ) 進(jìn)行計(jì)算。一般來說,封裝尺寸越小,功耗越小。但是QFN封裝可以提供極佳的散熱性能,這種性能完全可與尺寸是其1.5～2倍的眾多封裝相媲美。

LDO拓?fù)渑c靜態(tài)電流IQ

為了使電池的運(yùn)行時間最大化,需要選擇相對于負(fù)載電流來說靜態(tài)電流IQ較低的LDO。例如,考慮到IQ只增加0.02%的微不足道的電池消耗,在100mA負(fù)載情況下,一般采用200μA的IQ比較合理。

另外,還需要注意的是,由于電池的放電特性,某些情況下壓降會對電池壽命產(chǎn)生決定性影響。由于堿性電池放電速度較慢,其電源電壓在壓降情況下可以提供比NiMH電池更多的容量。必須在IQ和壓降之間仔細(xì)權(quán)衡,以便在電池壽命期間獲得最大的容量,因此,較低的IQ并不能始終保證長電池壽命。

需要注意IQ在雙極拓?fù)渲械谋憩F(xiàn)。IQ不但隨負(fù)載電流變化很大,而且在壓降情況下會有所增加。

另外,需要注意在數(shù)據(jù)表中對IQ是如何規(guī)定的。某些器件是在室溫條件下規(guī)定的,或者只提供顯示IQ與溫度關(guān)系的典型曲線。盡管這些情況有用,但是并不能保證最大的靜態(tài)電流。如果IQ比較重要,則需要選擇在所有負(fù)載、溫度和工藝變量情況下都能保證IQ的器件,并且需要選擇MOS類旁路元件。

輸出電容器

典型LDO應(yīng)用需要增加外部輸入和輸出電容器。選擇對電容器穩(wěn)定性方面沒有要求的LDO,可以降低尺寸與成本,另外還可以完全消除這些元件。請注意,利用較低ESR的大電容器一般可以全面提高PSRR、噪聲以及瞬態(tài)性能。

陶瓷電容器通常是首選,因?yàn)樗鼈儍r格低而且故障模式是斷路,相比之下鉭電容器比較昂貴且其故障模式是短路。請注意,輸出電容器的等效串聯(lián)電阻 (ESR) 會影響其穩(wěn)定性,陶瓷電容器具有較低的ESR,大概為10 mΩ量級,而鉭電容器ESR在100 mΩ量級。另外,許多鉭電容器的ESR隨溫度變化很大,會對LDO性能產(chǎn)生不利影響。如果溫度變化不大,而且電容器和接地之間串聯(lián)適當(dāng)?shù)碾娮?一般200mΩ),可以取代陶瓷電容器而使用鉭電容器。需要咨詢LDO廠商以確保正確的實(shí)施。

RF與音頻應(yīng)用

最后,考慮便攜式應(yīng)用中所采用的專用電路的功率要求。RF電路包括LNA(低噪聲放大器)、升壓/降壓轉(zhuǎn)換器、混頻器、PLL、VCO、IF放大器和功率放大器等,需要采用具有低噪聲和高PSRR的LDO。在設(shè)計(jì)現(xiàn)代收發(fā)系統(tǒng)時應(yīng)非常小心,以保證低噪聲和高線性。

電源噪聲會增加VCO的相位噪聲,而且會進(jìn)入接收或發(fā)送放大器。在W-CDMA等流行手機(jī)技術(shù)對頻譜再生和鄰道功率提出嚴(yán)格要求的情況下,進(jìn)入放大器的基/柵或收集器/漏極電源的極少量電源噪聲就會產(chǎn)生鄰道噪聲或假信號。

為了滿足手機(jī)、MP3、游戲以及多媒體PDA應(yīng)用等便攜式設(shè)備中的音頻需求,可能需要300～500mA的LDO。而且,為了獲得良好的音頻質(zhì)量,這種LDO在音頻頻率(20Hz～20kHz)時應(yīng)該是低噪聲并可提供高PSRR。

蜂窩電話設(shè)計(jì)需要低壓差、低噪聲、高PSRR、低靜態(tài)電流(Iq)、低成本的線性穩(wěn)壓器，并要求這些線性穩(wěn)壓器能夠提供穩(wěn)定的輸出，輸出端允許采用超小型電容器。當(dāng)然，理想情況下可以用一片低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)滿足系統(tǒng)任何電路、任何指標(biāo)的要求，但從性價比考慮這種方式并不是最佳的。

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基帶芯片組供電電源

大多數(shù)蜂窩電話基帶芯片組需要三組電源：內(nèi)部數(shù)字電路、模擬電路和外設(shè)接口電路?；鶐幚砥?BB)的數(shù)字電路供電電壓的典型值為1.8V至2.6V，一般情況下，Li+電池電壓降至3.2V-3.3V時電話將被關(guān)閉，對于為基帶處理器供電的LDO來說至少有500至600mV的壓差，因此對壓差要求不高。另外，數(shù)字電路本身對LDO的輸出噪聲和PSRR的要求也不高，而是要求LDO在輕載條件下具有極低的靜態(tài)電流，因?yàn)長DO需要始終保持有效。一種典型的GSM芯片組內(nèi)核數(shù)字電路的電源電流隨時間變化的情況。待機(jī)模式下，微處理器耗電僅200 A，而電話在絕大多數(shù)時間處于待機(jī)狀態(tài)。如果用靜態(tài)電流為2 A的LDO替代100 A的LDO，將節(jié)省98 A的電流，使待機(jī)時間延長1.485倍。

基帶處理器內(nèi)部模擬電路供電電壓典型值是2.4V至3.0V，壓差在200mV至600mV。要求LDO具有較高的低頻(GSM電話為217Hz)紋波抑制能力，消除由RF功率放大器產(chǎn)生的電池電壓紋波。LDO始終保持有效工作狀態(tài)，同樣需要較低的靜態(tài)電流指標(biāo)。

RF供電電源

RF電路分為接收和發(fā)送兩部分，供電電壓典型值為2.6V至3.0V，其中低噪聲放大器(LNA)、混頻器、鎖相環(huán)(PLL)、壓控振蕩器(VCO)和中頻(IF)電路需要低噪聲、高PSRR的LDO。實(shí)際應(yīng)用中，VCO、PLL電路的性能直接影響射頻電路指標(biāo)，如發(fā)射頻譜的純度、接收器的選擇性、模擬收發(fā)器的噪聲、數(shù)字電路的相位誤差等。噪聲會改變振蕩器的相頻和幅頻特性，同時振蕩器環(huán)路也會進(jìn)一步放大噪聲，可能對載波產(chǎn)生調(diào)制。LDO輸出噪聲受其內(nèi)部設(shè)計(jì)和外部旁路、補(bǔ)償電路的影響。導(dǎo)致LDO輸出噪聲的主要來源是基準(zhǔn)。

為降低基準(zhǔn)噪聲，需要在基準(zhǔn)的輸出端增加一路低通濾波器，濾波器可以集成在線性穩(wěn)壓器內(nèi)部或由外部電路實(shí)現(xiàn)。內(nèi)置濾波器占用了較大的管芯尺寸，有些低噪聲LDO芯片只是提供一個基準(zhǔn)的引腳，用于連接基準(zhǔn)旁路電容。增大旁路電容能夠使基準(zhǔn)噪聲成為產(chǎn)生LDO輸出噪聲的次要因素，有利于減小輸出噪聲。

影響LDO輸出噪聲的其它因素還有：LDO內(nèi)部極點(diǎn)、零點(diǎn)和輸出極點(diǎn)。增大輸出電容的容量或減輕輸出負(fù)載有利于降低高頻輸出噪聲。為射頻電路選擇LDO時，要慎重比較噪聲指標(biāo)，確保旁路電容、輸出電容和負(fù)載條件一致。

TCXO供電

溫補(bǔ)晶振(TCXO)為手機(jī)的IF電路提供參考頻率，它需要一個具有開/關(guān)控制的、超低噪聲LDO供電，雖然TCXO電路耗電不足5mA，但它要求用一個單獨(dú)的LDO供電，以便隔離其它噪聲源對LDO輸出的影響。另外，它還需要LDO在RF功率放大器的突發(fā)頻率點(diǎn)具有較高的PSRR。例如，GSM手機(jī)要求LDO于217Hz頻點(diǎn)的PSRR至少為65dB。

RTC供電

實(shí)時時鐘(RTC)LDO需要為RTC提供電流的同時還要為備用電池(鈕扣電池)充電，蜂窩電話的備用電池電壓一般為3V或2.5V，這部分電路的LDO始終保持有效的工作狀態(tài)(即使在手持終端關(guān)閉的情況下)，所以RTC LDO要具有極低的靜態(tài)電流。另外，還要提供具有較低漏電流的反向電流保護(hù)。

音頻電源

新型音頻電路，如免提電話、游戲機(jī)、MP3及蜂窩電話中的多媒體電路，可能需要300mA-500mA的大電流LDO。LDO要在音頻范圍(20Hz至20kHz)具有低噪聲、高PSRR特性，以保證良好的音質(zhì)。CDMA射頻發(fā)送器的峰值電流大約為600mA，而GSM發(fā)送器突發(fā)電流的峰值為1.7A。射頻功放直接由電池供電時GSM發(fā)送突發(fā)電流在電池上產(chǎn)生的噪聲。由于電池是手機(jī)內(nèi)部所有LDO的輸入電源，這些紋波直接影響了穩(wěn)壓器的輸出質(zhì)量。例如：如果一個LDO在217Hz的PSRR是40dB， LDO輸出噪聲的峰值為4.35mV。而揚(yáng)聲器輸入端的交流音頻信號電平也只有10mV至20mV，所以這個噪聲會發(fā)出較大的"喀嗒"聲。

LDO應(yīng)用的考量因素[zz]

2007-01-16　12:34:35

大中小

1、選擇 LDO的基本要素

包括輸入電壓范圍、預(yù)期輸出電壓、負(fù)載電流范圍以及其封裝的功耗能力。此外，地腳電流 Ignd 或靜態(tài)電流 Iq、電源波紋抑制比 PSRR、噪聲及封裝等也是 LDO 選擇時的應(yīng)關(guān)注的因素。

2、輸入輸出電壓差

輸入輸出電壓的差值是 LDO 最重要的參數(shù)之一。在保證輸出電壓穩(wěn)定的前提下，該電壓差越低，穩(wěn)壓器的性能越好，效率越高。反之，當(dāng)確定 LDO 能夠提供預(yù)期輸出電壓時，需要進(jìn)一步考慮其壓降。輸入電壓必須大于預(yù)期輸出電壓與特定壓降之和，即

Vin > Vout + Vdropout。

如果 Vin 降低至必需的電壓以下，則我們說 LDO 出現(xiàn)“壓降”，輸出等于輸入減去旁路元件的 RDS(on) 乘以負(fù)載電流。LDO 的最大優(yōu)點(diǎn)就是：滿載的跌落壓降一般小于 500mV。輕載時的壓降只有 10 到 20mV。

3、靜態(tài)電流

LDO自身存在的靜態(tài)電流，不容忽視。例如，電池供電時，為最大化電池的運(yùn)行時間，應(yīng)選擇相對于負(fù)載電流來說，Iq 極低的 LDO。假設(shè)，LDO供電時，Iq 只增加0.02%的微不足道的電池消耗，那么在 100mA 負(fù)載情況下，采用 200μA 的 Iq 就比較合理。

4、外圍的電容器

典型的 LDO 應(yīng)用時，需要添加額外的輸入和輸出電容器。選擇對電容器穩(wěn)定性方面沒有要求的 LDO，可以降低尺寸與成本，另外某些情形甚至可省略這些電容。一般地做法是，選用較低串聯(lián)等效阻抗 ESR 的電容器可提高 PSRR、降低噪聲以及保持對負(fù)載變化的快速瞬態(tài)響應(yīng)能力，而不僅僅是提高電容容量的問題。從這方面講，可節(jié)約一定的成本。

5、低功耗設(shè)計(jì)中的問題

由于電池的放電特性的差異性，某些情況下，壓降對電池壽命將產(chǎn)生決定性影響。例如，堿性電池放電速度就比較慢些，其電源電壓在壓降情況下可以提供比 NiMH 電池更多的容量。因此，較低的 Iq 并不能始終保證長電池壽命。哈哈，這點(diǎn)似乎與上面的第 3 點(diǎn)互相矛盾!你必須在 Iq 和壓降之間仔細(xì)權(quán)衡，以便在電池壽命期間獲得最大的容量，這才是最重要的。