科銳推出S波段GaN器件，實現(xiàn)雷達(dá)應(yīng)用的效率最大化||

　　全新60W GaN HEMT Psat 晶體管幫助降低軍用和民用雷達(dá)系統(tǒng)

對于高功率放大器尺寸、重量以及散熱的要求

　　科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達(dá)中的高效GaN HEMT 晶體管。新型 S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W，頻率為 3.1至3.5GHz 之間，與傳統(tǒng)Si或 GaAs MESFET 器件相比，能夠提供優(yōu)越的漏極效率（接近70%）。同時，高效率和高功率密度的結(jié)合有助于最大限度地降低散熱的要求，并減少在商用雷達(dá)系統(tǒng)應(yīng)用中的尺寸與重量。

　　科銳無線射頻（RF）及微波部門總監(jiān) Jim Milligan表示：“新型 S 波段 GaN HEMT 器件的推出豐富了科銳高效 S 波段GaN晶體管與單片式微波集成電路（MMIC）產(chǎn)品系列，從而為客戶在商用雷達(dá)系統(tǒng)高功率放大電路的應(yīng)用中提供更多的選擇。高效的 S 波段 GaN HEMT 器件率，在具有優(yōu)異信號保真度的同時擴(kuò)展脈沖能力，并最大限度地降低散熱管理需求，從而能夠幫助無線射頻設(shè)計工程師大幅度地降低雷達(dá)系統(tǒng)的尺寸和重量，同時擴(kuò)大應(yīng)用范圍并降低安裝成本?！?/P>

　　科銳 CGH35060 GaN HEMT 晶體管28V 工作電壓下的額定脈沖功率為 60W（當(dāng)脈寬為100微秒時），功率增益為12dB，漏極效率為 65%，與傳統(tǒng)硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已經(jīng)在高功率放大器參考設(shè)計（S 波段頻率在3.1至3.5GHz 之間）中得到驗證。與 GaAs和Si技術(shù)相比，CGH35060 還具有長脈沖、高功率性能（低于0.6dB）、優(yōu)異的信號保真度以及非常低的功率衰減等特性。

　　新型GaN HEMT 晶體管與科銳 S 波段全套產(chǎn)品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT 器件（2.7