Micro LED關(guān)鍵技術(shù)涵蓋四大方面，未來(lái)將如何向前？

據(jù)最新報(bào)告1Q17 Micro LED次世代顯示技術(shù)市場(chǎng)會(huì)員報(bào)告顯示，Micro LED關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展方向涵蓋四大面向，包含磊晶與芯片技術(shù)、轉(zhuǎn)移技術(shù)、鍵結(jié)技術(shù)（Bonding）、彩色化方案等。

轉(zhuǎn)移技術(shù)

以物理性的抓取為例，LuxVue采取透過(guò)靜電力吸附微小組件的方式。而化學(xué)性的抓取以X－Celeprint為代表，利用Elastomer Stamp為介質(zhì)，并且利用凡德瓦力來(lái)做抓取。除此之外，還有許多廠商各自開(kāi)發(fā)許多種抓取方式。

薄膜轉(zhuǎn)移的另一項(xiàng)核心技術(shù)在于如何去選擇想要抓取的微米等級(jí)的薄膜磊晶，例如多數(shù)采用抓取力量的大小來(lái)控制想要選取的目標(biāo)，例如前述提到的透過(guò)靜電力，或是凡德瓦力，并針對(duì)想要特定抓取的目標(biāo)施予不同程度的能量來(lái)做選擇。除此之外，SONY也利用雷射燒灼的方式，來(lái)選取特定的目標(biāo)目標(biāo)。

最后，一般用于封裝前將LED芯片內(nèi)部電路用金線與基板做連接與電路導(dǎo)通。但是由于Micro LED的芯片過(guò)于微小，已經(jīng)沒(méi)有辦法用一般的金屬打線方式來(lái)與基板結(jié)合，因此需要用其他的方式來(lái)與基板做集合。因此未來(lái)的技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)在于拿何種材料來(lái)進(jìn)行接合與轉(zhuǎn)移。