現在大街上隨處可見的LED顯示屏，還有裝飾用的LED彩燈以及LED車燈，處處可見LED燈的身影，LED已經融入到生活中的每一個角落。1.正向電壓降低，暗光
A：一種是電極與發(fā)光材料為歐姆接觸，但接觸電阻大，主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。B：一種是電極與材料為非歐姆接觸，主要發(fā)生在芯片電極制備過程中蒸發(fā)第一層電極時的擠壓印或夾印，分布位置。
另外封裝過程中也可能造成正向壓降低，主要原因有銀膠固化不充分，支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩(wěn)定。正向壓降低的芯片在固定電壓測試時，通過芯片的電流小，從而表現暗點，還有一種暗光現象是芯片本身發(fā)光效率低，正向壓降正常。
2.難壓焊：(主要有打不粘，電極脫落，打穿電極)
A：打不粘：主要因為電極表面氧化或有膠B：有與發(fā)光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢，其中以加厚層脫落為主。C：打穿電極：通常與芯片材料有關，材料脆且強度不高的材料易打穿電極，一般GAALAS材料(如高紅，紅外芯片)較GAP材料易打穿電極。D：壓焊調試應從焊接溫度，超聲波功率，超聲時間，壓力，金球大小，支架定位等進行調整。
3.發(fā)光顏色差異：
A：同一張芯片發(fā)光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題，ALGAINP四元素材料采用量子結構很薄，生長是很難保證各區(qū)域組分一致。(組分決定禁帶寬度，禁帶寬度決定波長)。B：GAP黃綠芯片，發(fā)光波長不會有很大偏差，但是由于人眼對這個波段顏色敏感，很容易查出偏黃，偏綠。由于波長是外延片材料決定的，區(qū)域越小，出現顏色偏差概念越小，故在M/T作業(yè)中有鄰近選取法。C：GAP紅色芯片有的發(fā)光顏色是偏橙黃色
4.閘流體效應;
A：是發(fā)光二極管在正常電壓下無法導通，當電壓加高到一定程度，電流產生突變。B：產生閘流體現象原因是發(fā)光材料外延片生長時出現了反向夾層，有此現象的LED在IF=20MA時測試的正向壓降有隱藏性，在使用過程是出于兩極電壓不夠大，表現為不亮，可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線，也可以通過小電流IF=10UA下的正向壓降來發(fā)現，小電流下的正向壓降明顯偏大，則可能是該問題所致。
5.反向漏電：
A：原因：外延材料，芯片制作，器件封裝，測試一般5V下反向漏電流為10UA，也可以固定反向電流下測試反向電壓。B：不同類型的LED反向特性相差大：普綠，普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏，而普芯片則在十幾二十伏之間。C：外延造成的反向漏電主要由PN結內部結構缺陷所致，芯片制作過程中側面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面，嚴禁用有機溶液調配銀膠。以防止銀膠通過毛細現象爬到結區(qū)。以上就是LED技術的相關知識，相信隨著科學技術的發(fā)展，未來的LED燈回越來越高效，使用壽命也會由很大的提升，為我們帶來更大便利。
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