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[導(dǎo)讀]高頻逆變器后級(jí)電路圖一:中C1,C2分別是Q1,Q2的GD結(jié)電容,左邊上下兩個(gè)波形分別是Q1,Q2的柵極驅(qū)動(dòng)波形。我們先從t1-t2死區(qū)時(shí)刻開始分析,從圖中可以看出這段時(shí)間為死區(qū)時(shí)

高頻逆變器后級(jí)電路圖一:

中C1,C2分別是Q1,Q2的GD結(jié)電容,左邊上下兩個(gè)波形分別是Q1,Q2的柵極驅(qū)動(dòng)波形。我們先從t1-t2死區(qū)時(shí)刻開始分析,從圖中可以看出這段時(shí)間為死區(qū)時(shí)間,也就是說這段時(shí)間內(nèi)兩管都不導(dǎo)通,半橋中點(diǎn)電壓為母線電壓的一半,也就是說C1,C2充電也是母線電壓的一半。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)運(yùn)行到t2時(shí)刻時(shí),Q1的柵極變?yōu)楦唠娖?,Q1開始導(dǎo)通,半橋中點(diǎn)的電位急劇上升,C2通過母線電壓充電,充電電流通過驅(qū)動(dòng)電阻Rg和驅(qū)動(dòng)電路放電管Q4,這個(gè)充電電流會(huì)在驅(qū)動(dòng)電阻Rg和驅(qū)動(dòng)電路放電管Q4上產(chǎn)生一個(gè)毛刺電壓,請(qǐng)看圖中t2時(shí)刻那條紅色的豎線。如果這個(gè)毛刺電壓的幅值超過了Q2的開啟電壓Qth,半橋的上下兩管就共通了。有時(shí)候上下兩管輕微共通并不一定會(huì)炸管,但會(huì)造成功率管發(fā)熱,在母線上用示波器觀察也會(huì)看到很明顯的干擾毛刺。只有共通比較嚴(yán)重的時(shí)候才會(huì)炸管。還有一個(gè)特性就是母線電壓越高毛刺電壓也越高,也越會(huì)引起炸管。

 

高頻逆變器后級(jí)電路圖大全

 

高頻逆變器后級(jí)電路圖二:

13腳的邏輯地和2腳的驅(qū)動(dòng)地在布線時(shí)要分開來走,邏輯地一般要接到5V濾波電容的負(fù)端,再到高壓濾波電容的負(fù)端,驅(qū)動(dòng)地一般要接到12-15V驅(qū)動(dòng)電源的濾波電容的負(fù)端,再到兩個(gè)低端高壓MOS管中較遠(yuǎn)的那個(gè)MOS的源極。如下圖:

 

高頻逆變器后級(jí)電路圖大全

 

在正弦波逆變器中因?yàn)檩d波的頻率較高,母線電壓也較高,自舉二極管要使用高頻高壓的二極管。因?yàn)檩d波占空比接近100%,自舉電容的容量要按照基波計(jì)算,一般需要取到47-100uF,最好并一個(gè)小的高頻電容。

高頻逆變器后級(jí)電路圖三:

 

11.jpg

 

圖1電路中,由芯片IC1及其外圍電路、三極管VT1、VT3、MOS功率管VT2、VT4以及變壓器T1組成12V直流變換為220V/50kHz交流 的逆變電路。由芯片IC2及其外圍電路、三極管VT5、VT8、MOS功率管VT6、VT7、VT9、VT10以及220V/50kHz整流、濾波電路 VD5-VD8、C12等共同組成220V/50kHz高頻交流電變換為220V/50Hz工頻交流電的轉(zhuǎn)換電路,最后通過XAC插座輸出220V /50Hz交流電供各種便攜式電器使用。 圖1中IC1、IC2采用了TL494CN(或 KA7500C)芯片,構(gòu)成車載逆變器的核心控制電路。TL494CN是專用的雙端式開關(guān)電源控制芯片,其尾綴字母CN表示芯片的封裝外形為雙列直插式塑 封結(jié)構(gòu),工作溫度范圍為0℃-70℃,極限工作電源電壓為7V~40V,最高工作頻率為300kHz。

高頻逆變器后級(jí)電路圖四:

 

112.jpg

 

圖1電路中IC1的15腳外圍電路的R1、C1組成上電軟啟動(dòng)電路。上電時(shí)電容C1兩端的電壓由0V逐步升高,只有當(dāng)C1兩端電壓達(dá)到5V以上時(shí),才允許IC1內(nèi)部的脈寬調(diào)制電路開始工作。當(dāng)電源斷電后,C1通過電阻R2放電,保證下次上電時(shí)的軟啟動(dòng)電路正常工作。

IC1的15腳外圍電路的R1、Rt、R2組成過熱保護(hù)電路,Rt為正溫度系數(shù)熱敏電阻,常溫阻值可在150Ω~300Ω范圍內(nèi)任選,適當(dāng)選大些可提高過熱保護(hù)電路啟動(dòng)的靈敏度。

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