Renesas用嵌入式DRAM開發(fā)動態(tài)TCAM

Renesas公司近日宣布一種用于開發(fā)通信設(shè)備中嵌入片內(nèi)系統(tǒng)的TCAM的技術(shù)。對采用該技術(shù)的4.5-Mbit動態(tài)TCAM芯片的測試結(jié)果顯示：芯片面積減少約60％，工作頻率達143 MHz，1.1W的功率擴散以及更高的收益。這一測試結(jié)果是Renesas公司和日本Hiroshima大學(xué)聯(lián)合試驗得出并且在2004 IEEE的ISSCC會議上宣布。
    TCAM采用以下新的技術(shù)來解決CAM存在的芯片面積大、功率擴散多以及難于提高產(chǎn)量的問題：

    1．    管道分級搜索 (PHS)技術(shù)；

    PHS技術(shù)使搜索在低電壓下以足夠高的速度進行，功率擴散降低了70％，匹配線和搜索線的電壓只用1V；節(jié)省功率采用管道類型的搜索技術(shù)將素所劃分為兩個或者更多個階段進行；

    2．    改良的移位冗余電路；

    采用移位冗余方法可以同時替換字線和匹配線而不增加芯片面積；布局設(shè)計可以將優(yōu)先級和行解碼器放置在一起進一步壓縮電路面積。

    3．    使用DRAM類型的內(nèi)存單元。

    采用DRAM類型存儲單元和少量晶體管實現(xiàn)3.59平方微米的元件尺寸，這意味著降低工作電壓。
下面是對130nm工藝制成的4.5-Mbit TCAM芯片的測試結(jié)果：

    1．    減少約40％的芯片面積；

    2．    143MHz頻率下1.1W功率擴散，相當于減少了85％的功率擴散；

    3．    預(yù)計產(chǎn)量將增加到普通大容量存儲器的水平。