海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出2Gb移動DRAM
[導(dǎo)讀]據(jù)韓聯(lián)社報道，海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出了采用54納米技術(shù)的2Gb移動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，計劃從明年上半年開始生產(chǎn)。
該產(chǎn)品是世界上首個采用54納米超微工藝的2Gb高容量產(chǎn)品。目前用于多芯片封裝(Multi
據(jù)韓聯(lián)社報道，海力士半導(dǎo)體在世界上率先研發(fā)出了采用54納米技術(shù)的2Gb移動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，計劃從明年上半年開始生產(chǎn)。
該產(chǎn)品是世界上首個采用54納米超微工藝的2Gb高容量產(chǎn)品。目前用于多芯片封裝(Multichippackage，MCP)和層疊封裝(PackageonPackage，簡稱PoP)的移動DRAM產(chǎn)品中容量最高為1Gb，而該產(chǎn)品可實現(xiàn)2Gb的容量。
電力消耗也僅為現(xiàn)有存儲器的八分之一，適用于手機、數(shù)碼相機、MP3播放器、導(dǎo)航儀等產(chǎn)品。
此外，該產(chǎn)品可在1.2伏超低電壓下啟動，數(shù)據(jù)傳輸速率最高達到400Mbps，通過32個信息出入口，每秒可處理大約1.6GB的數(shù)據(jù)。
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