NOR Flash接班技術(shù)PCM　旺宏布局最積極

三星電子(Samsung Electronic) 和恒億 (Numonyx)宣布要合作開發(fā)相變化存儲器(PCM)技術(shù)，使得次世代存儲器技術(shù)的競爭逐漸浮出臺面。雖然目前NAND Flash和NOR Flash技術(shù)廣泛使用在消費性電子產(chǎn)品上，但存儲器大廠積極在研發(fā)下一世代的主流存儲器產(chǎn)品，PCM技術(shù)相當受到注目，其中臺系存儲器大廠旺宏是最早投入PCM存儲器研發(fā)的業(yè)者，旺宏現(xiàn)在的產(chǎn)品線以ROM和NOR Flash為主，未來PCM存儲器接棒，旺宏在技術(shù)和專利上是最大受惠者。

NAND Flash和NOR Flash存儲器目前廣泛應(yīng)用于各種消費性電子產(chǎn)品上，尤其是NOR Flash芯片，雖然單價低，且看似不起眼，但短時間之內(nèi)幾乎沒有存儲器可以取代NOR Flash，但NOR Flash在制程微縮至40奈米制程之后，會受到物理特性的限制，無法不斷藉由持續(xù)的制程微縮，來達到成本降低的功效，因此存儲器廠紛紛投入PCM技術(shù)的研究，希望能找到NOR Flash技術(shù)的接班人。

在NOR Flash市場上，PCM技術(shù)是現(xiàn)在是各界認為的接班人人選，而在NAND Flash技術(shù)上，市場也認為在總有走道極限的1天，因此目前Bandgap Engineered SONOS (BE-SONOS)技術(shù)則被看好是NAND Flash的下世代技術(shù)。

存儲器業(yè)者表示，日前三星和恒憶合作開發(fā)PCM技術(shù)的存儲器，顯示各界都有危機意識，要投入研發(fā)再次世代存儲器產(chǎn)品上，其中PCM技術(shù)是目前各界認為，可以解決快閃存儲器制程微縮物理極限的技術(shù)之一，讓快閃存儲器的速度增加，但又有耗電量的效能。

存儲器業(yè)者認為，一旦由現(xiàn)有的NAND Flash和NOR Flash技術(shù)跨進PCM世代，代表整個存儲器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)、專利、產(chǎn)品、應(yīng)用等都會重新洗排，短期內(nèi)或許不會發(fā)生，但次世代存儲器技術(shù)需要投入相當大的研發(fā)資金，因此有實力的大廠，現(xiàn)在開始投入資源，其實是為未來的生存戰(zhàn)鋪路。

當PCM世代來臨，存儲器廠也必須重新取得技術(shù)IP等授權(quán)，現(xiàn)在誰能累積多一點專利，就是未來的贏家，就像現(xiàn)在新帝(SanDisk)坐收NAND Flash專利授權(quán)金一樣，連三星都每2~3年要跟他簽約一次，付權(quán)利金給新帝。

目前臺灣最積極開發(fā)PCM存儲器者為旺宏，與IBM等國際大廠合作研發(fā)，已經(jīng)投入PCM技術(shù)領(lǐng)域相當多年，手上也有不少相關(guān)的專利技術(shù)，旺宏在20奈米尺寸以下的PCM技術(shù)，可克服快閃存儲器的制程物理極限，未來PCM技術(shù)世代來臨，將比其它競爭對手在技術(shù)和專利上，更領(lǐng)先一步。

因此，目前旺宏在下世代技術(shù)體技術(shù)中，針對NOR Flash和NAND Flash存儲器，分別投入研發(fā)資金力拱PCM技術(shù)和BE-SONOS技術(shù)，是臺系存儲器廠中，少數(shù)投資巨額研發(fā)資金研究次世代存儲器產(chǎn)品的業(yè)者，存儲器廠認為，PCM技術(shù)和BE-SONOS技術(shù)要成主流可能要等上5~10年，但旺宏現(xiàn)在投入研發(fā)，未來可望能成為專利技術(shù)的擁有者之一。