Hynix開始量產(chǎn)54納米制程1GB DDR3節(jié)省30%耗電量
[導(dǎo)讀]Yonhap News報導(dǎo)，南韓內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 12日宣布，將開始量產(chǎn)一款采用54納米制程技術(shù)的1GB DDR3 DRAM，其耗電量將節(jié)省30%，運算速度則較DDR2增加近1倍。
Hynix表示，該公司計劃將能源節(jié)省技術(shù)應(yīng)
Yonhap News報導(dǎo)，南韓內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 12日宣布，將開始量產(chǎn)一款采用54納米制程技術(shù)的1GB DDR3 DRAM，其耗電量將節(jié)省30%，運算速度則較DDR2增加近1倍。
Hynix表示，該公司計劃將能源節(jié)省技術(shù)應(yīng)用于未來推出的產(chǎn)品，包括即將在本季稍晚量產(chǎn)的44納米制程2GB DDR3。此外，Hynix并計劃在09年底前將DDR3產(chǎn)能比重由目前的30%提升至超過50%。
根據(jù)科技市調(diào)機構(gòu)iSuppli統(tǒng)計，1GB DDR3 DRAM占總體DDR3市場的比重目前已達87%。
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