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[導(dǎo)讀]英特爾將在明年初美國消費(fèi)性電子展(CES)中,正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3處理器及芯片組,可望推動(dòng)DDR3在明年登上市場(chǎng)主流位置。國內(nèi)外DRAM廠主流產(chǎn)品線已由70奈米DDR2快速轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米DDR3,隨

英特爾將在明年初美國消費(fèi)性電子展(CES)中,正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3處理器及芯片組,可望推動(dòng)DDR3在明年登上市場(chǎng)主流位置。國內(nèi)外DRAM廠主流產(chǎn)品線已由70奈米DDR2快速轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米DDR3,隨著DDR3封裝制程改變及測(cè)試時(shí)間拉長,包括力成(6239)、泰林(5466)、福懋科(8131)、華東(8110)等DRAM封測(cè)廠受惠最大,股價(jià)昨日也全部創(chuàng)下今年新高。
英特爾將于CES展中推出高達(dá)17款新處理器,包括45奈米Nehalem、32奈米Westmere、代號(hào)為Pine Trail的Atom處理器等,搭配處理器的芯片組如Ibex Peak、Tiger Point等也會(huì)如期推出。而值得注意之處,是英特爾明年出貨的處理器及芯片組,將會(huì)全面支持DDR3,所以DDR3將成明年DRAM市場(chǎng)主流規(guī)格,DDR2將陸續(xù)退出主流市場(chǎng)。
為了配合市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)向,國際DRAM廠如三星、海力士、爾必達(dá)、美光等,第3季后已經(jīng)開始以50奈米浸潤式制程(immersion)量產(chǎn)DDR3,國內(nèi)DRAM廠雖然進(jìn)度較慢,但包括南亞科、華亞科、力晶、瑞晶等,今年底至少也有3成產(chǎn)能會(huì)轉(zhuǎn)換至DDR3。
上游DRAM廠加速轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米DDR3世代,后段封測(cè)廠自然跟著轉(zhuǎn)換制程,只不過跟上一世代的70奈米DDR2產(chǎn)品相比較,DDR3有兩項(xiàng)技術(shù)上的改變,一是微影技術(shù)改為浸潤式制程,二是要將鋁制程導(dǎo)線改成低介電(low-k)的銅制程導(dǎo)線。
也因此,DDR3封裝制程將由傳統(tǒng)的60或84植球數(shù)、改為78或96植球數(shù)的閘球數(shù)組封裝(BGA),測(cè)試上也需延長速度及功能的測(cè)試時(shí)間,此一改變對(duì)封測(cè)廠將十分有利。
封測(cè)業(yè)者表示,DDR3因制程改變,單顆封裝成本將由0.15美元增加到0.25美元,而測(cè)試時(shí)間拉長至500秒至600秒左右,較DDR2增加約25%至30%,所以單顆測(cè)試成本也由0.2美元增加到0.3美元。整體來看,封測(cè)成本將由0.35美元增加到0.55美元,增幅高達(dá)6成,有助于提升封測(cè)廠的平均接單價(jià)格(ASP),加上明年第1季封測(cè)代工價(jià)將調(diào)漲,毛利率將會(huì)有十分明顯的提升。



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