東麗道康寧開發(fā)出耐熱性及加工性的功率半導體用封裝材料

時間：2010-02-22 08:28:00

關鍵字：封裝功率半導體康寧元件

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[導讀]東麗道康寧面向SiC等新一代功率半導體，開發(fā)出了兼顧耐熱性及加工性的新型硅類封裝材料。特點是可在250℃條件下連續(xù)使用，而且加工性較高。比如，SiC功率半導體元件（功率元件）可在硅功率元件所限定的200℃以上的高

東麗道康寧面向SiC等新一代功率半導體，開發(fā)出了兼顧耐熱性及加工性的新型硅類封裝材料。特點是可在250℃條件下連續(xù)使用，而且加工性較高。比如，SiC功率半導體元件（功率元件）可在硅功率元件所限定的200℃以上的高溫下工作。在200℃以上的高溫下工作時，除功率元件外，還需提高其周邊材料的耐熱性。此次開發(fā)的新材料設想用于這些高溫工作用途。

據介紹，新材料在加工性指標——粘度為50Pa·s時，耐熱性指標——硬化后的熱膨脹系數可減至1.0×10-5/K。粘度越低，加工性越出色，熱膨脹系數越小，耐熱性越高。原來的硅類封裝材料很難實現兼顧低粘度及小熱膨脹系數。該公司表示，此次通過控制聚硅氧烷(Polysiloxane)及高性能無機微粒子，使其合成，兼顧了加工性及耐熱性。

此外，該公司與東京大學研究生院新領域創(chuàng)成科學研究科的大島實驗室共同開發(fā)出了功率半導體散熱材料用高性能微粒子的新合成方法。該公司表示，可通過采用“超臨界流體技術”，利用廉價采購的原料合成高性能微粒子。這樣，便可輕松與聚硅氧烷調配。

關于此次開發(fā)的封裝材料及面向散熱材料的合成法的詳細內容，該公司預定在2010年2月17日起于東京有明國際會展中心舉辦的“nano tech2010國際納米科技綜合展及國際會議”的NEDO展區(qū)內公開。另外，此次研究成果是通過NEDO委托的“超復合材料技術開發(fā)”項目取得的。（記者：根津禎）