力晶半導體下半年量產(chǎn)40納米NAND閃存

時間：2010-04-12 15:38:34

關(guān)鍵字：半導體 NAND閃存 40納米 DRAM芯片

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[導讀]力晶半導體（PowerchipSemiconductorCorporation，PSC）公司董事長黃崇仁（FrankHuang）日前透露，該公司將于2010年下半年正式開始量產(chǎn)出貨40納米制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，同時他還指出力晶的閃存業(yè)務(wù)未來的工作重點

力晶半導體（PowerchipSemiconductorCorporation，PSC）公司董事長黃崇仁（FrankHuang）日前透露，該公司將于2010年下半年正式開始量產(chǎn)出貨40納米制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，同時他還指出力晶的閃存業(yè)務(wù)未來的工作重點將會放在利基和定制型產(chǎn)品上。

力晶半導體將于今年下半年量產(chǎn)40納米NAND閃存

在與瑞薩科技（RenesasTechnology）之間的技術(shù)協(xié)議中止之后，力晶半導體已經(jīng)開發(fā)了自有的內(nèi)部閃存技術(shù)。此前也有消息透露，這家臺系DRAM芯片廠商的NAND閃存芯片采用的仍然主要是70納米制造工藝，同時該公司也在利用50納米制造工藝開發(fā)8Gb容量的NAND閃存芯片產(chǎn)品。早在去年金融危機尚在肆虐的時候，力晶曾力爭通過DRAM業(yè)拯救工程而獲得臺當局的撥款，尋求以45億新臺幣的預(yù)算建立一家新的NAND閃存公司，不過該項目的財政支持最終被當局否決。

至于DRAM芯片業(yè)務(wù)，黃崇仁表示力晶正在努力將制造工藝切換到63納米，此次升級完成之后公司DRAM芯片生產(chǎn)成本將會大幅下降20%之多。至于更遠的計劃，比如何時將制造工藝切換至45納米，力晶表示這將取決于ASML的浸潤式掃描設(shè)備將于何時交付，而據(jù)黃崇仁透露該設(shè)備交付已經(jīng)延期。黃崇仁還認為目前的DRAM芯片價格正處于“合理”水平，他對整個DRAM市場的前景也相當樂觀，甚至對2011年的DRAM市場都相當看好。