臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)自主露曙光網(wǎng)羅奇夢(mèng)達(dá)團(tuán)隊(duì)
時(shí)間：2010-04-12 14:39:35
關(guān)鍵字：
DRAM
奇夢(mèng)達(dá)
爾必達(dá)
存儲(chǔ)器
手機(jī)看文章
掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章
[導(dǎo)讀]存儲(chǔ)器大廠華邦電在2010年初宣示投入40奈米制程大戰(zhàn)后，曾傳出加入爾必達(dá)(Elpida)45奈米陣營(yíng)，然近期華邦內(nèi)部已悄悄網(wǎng)羅一組奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，借用埋入式閘極字元線連結(jié)(BuriedWordline)技術(shù)自行開發(fā)46奈米制
存儲(chǔ)器大廠華邦電在2010年初宣示投入40奈米制程大戰(zhàn)后，曾傳出加入爾必達(dá)(Elpida)45奈米陣營(yíng)，然近期華邦內(nèi)部已悄悄網(wǎng)羅一組奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，借用埋入式閘極字元線連結(jié)(BuriedWordline)技術(shù)自行開發(fā)46奈米制程，可望成為臺(tái)灣第1家自己擁有40奈米世代DRAM技術(shù)存儲(chǔ)器大廠，未來(lái)華邦在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM技術(shù)恐將與爾必達(dá)漸行漸遠(yuǎn)。
臺(tái)系DRAM廠陸續(xù)揭示40奈米制程計(jì)畫藍(lán)圖，華邦在2010年初亦對(duì)外宣布將建立40奈米制程自有團(tuán)隊(duì)，且已先就當(dāng)前最缺貨的浸潤(rùn)式微影機(jī)器設(shè)備(ImmersionScanner)下訂單，充分展現(xiàn)卡位40奈米市場(chǎng)的決心。
原本業(yè)界認(rèn)為華邦與爾必達(dá)合作關(guān)系，將從繪圖卡存儲(chǔ)器(GDDR)代工，延伸至標(biāo)準(zhǔn)型DRAM45奈米技術(shù)，然近期華邦已悄悄網(wǎng)羅之前合作伙伴奇夢(mèng)達(dá)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，計(jì)劃憑借既有65奈米技術(shù)基礎(chǔ)，自行研發(fā)奇夢(mèng)達(dá)已開發(fā)完成的46奈米BuriedWordline技術(shù)，成為臺(tái)灣第1家在40奈米世代走上技術(shù)開發(fā)自主之路的DRAM廠。
存儲(chǔ)器業(yè)者表示，奇夢(mèng)達(dá)BuriedWordline技術(shù)系當(dāng)初試圖從溝槽式(Trench)技術(shù)轉(zhuǎn)型至堆疊式(Stack)技術(shù)的代表作，2008年底BuriedWordline技術(shù)已成功試產(chǎn)65奈米制程，并完成46奈米產(chǎn)品開發(fā)，原計(jì)劃在2009年中量產(chǎn)，但奇夢(mèng)達(dá)財(cái)務(wù)狀況持續(xù)惡化，2009年3月就宣布破產(chǎn)。
存儲(chǔ)器業(yè)者認(rèn)為，奇夢(mèng)達(dá)BuriedWordline技術(shù)其實(shí)相當(dāng)有競(jìng)爭(zhēng)力，生產(chǎn)出來(lái)的晶圓尺寸非常小，若順利進(jìn)入量產(chǎn)階段，成本結(jié)構(gòu)競(jìng)爭(zhēng)力不輸同業(yè)，當(dāng)時(shí)連爾必達(dá)都被奇夢(mèng)達(dá)該技術(shù)所吸引，雙方一度想要合作，但奇夢(mèng)達(dá)終究因?yàn)樨?cái)務(wù)赤字，而淹沒(méi)在DRAM大崩盤洪流中。
這次華邦借著過(guò)去與奇夢(mèng)達(dá)合作65奈米技術(shù)基礎(chǔ)，加上延攬奇夢(mèng)達(dá)部分設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，以及融合手上奇夢(mèng)達(dá)GDDR專利和技術(shù)，自行開發(fā)46奈米制程，將走出一條有別于目前臺(tái)灣DRAM技術(shù)陣營(yíng)除美光(Micron)和爾必達(dá)外的第3條路。
事實(shí)上，華邦走向自己開發(fā)DRAM制程技術(shù)之路，主要系因華邦營(yíng)運(yùn)重心已逐漸從標(biāo)準(zhǔn)型DRAM轉(zhuǎn)向，專注于SDRAM和NORFlash，因此，40奈米世代技術(shù)對(duì)于華邦而言，雖然一定要參與，但沒(méi)有急迫性，目前SDRAM采65奈米制程生產(chǎn)，直到2010年底都還相當(dāng)具競(jìng)爭(zhēng)力，不像南亞科、華亞科、力晶等標(biāo)準(zhǔn)型DRAM廠追求低成本，急著在2010年下半轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米世代，華邦轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米系為SDRAM下世代技術(shù)鋪路，并不急于導(dǎo)入。
存儲(chǔ)器業(yè)者指出，華邦沒(méi)有與爾必達(dá)合作45奈米制程另一個(gè)考量，系因爾必達(dá)在輸出技術(shù)時(shí)會(huì)要求以產(chǎn)能交換，但華邦旗下12寸晶圓產(chǎn)能只有3.2萬(wàn)片，2010年下半NORFlash產(chǎn)能占掉1萬(wàn)片，加上SDRAM和MobileRAM產(chǎn)能排擠，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能已降至3,000~4,000片，實(shí)在沒(méi)有產(chǎn)能可與爾必達(dá)談判，因而未能成局。
另外，爾必達(dá)過(guò)去輸出技術(shù)除保障產(chǎn)能外，亦會(huì)要求技術(shù)授權(quán)費(fèi)用，產(chǎn)能越大的DRAM廠，每片晶圓所分?jǐn)偧夹g(shù)授權(quán)費(fèi)越低，以華邦3.2萬(wàn)片產(chǎn)能來(lái)看，就算全部都拿來(lái)做DRAM，算下來(lái)每片晶圓成本還是很高，與爾必達(dá)合作未必占便宜。
DRAM業(yè)者認(rèn)為，原本爾必達(dá)在臺(tái)廠布局中，華邦是繼力晶、瑞晶、茂德之后下一個(gè)囊中物，但現(xiàn)在華邦走上自有技術(shù)開發(fā)之路，未來(lái)爾必達(dá)與既有合作伙伴力晶、瑞晶、茂德之間互動(dòng)，勢(shì)必會(huì)更緊密。爾必達(dá)陣營(yíng)中的力晶和瑞晶，計(jì)劃于2010年下半導(dǎo)入45奈米制程，美光陣營(yíng)的南亞科和華亞科則將導(dǎo)入42奈米，如今加上華邦46奈米技術(shù)加入戰(zhàn)局，DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)熱鬧可期。
臺(tái)系DRAM廠陸續(xù)揭示40奈米制程計(jì)畫藍(lán)圖，華邦在2010年初亦對(duì)外宣布將建立40奈米制程自有團(tuán)隊(duì)，且已先就當(dāng)前最缺貨的浸潤(rùn)式微影機(jī)器設(shè)備(ImmersionScanner)下訂單，充分展現(xiàn)卡位40奈米市場(chǎng)的決心。
原本業(yè)界認(rèn)為華邦與爾必達(dá)合作關(guān)系，將從繪圖卡存儲(chǔ)器(GDDR)代工，延伸至標(biāo)準(zhǔn)型DRAM45奈米技術(shù)，然近期華邦已悄悄網(wǎng)羅之前合作伙伴奇夢(mèng)達(dá)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，計(jì)劃憑借既有65奈米技術(shù)基礎(chǔ)，自行研發(fā)奇夢(mèng)達(dá)已開發(fā)完成的46奈米BuriedWordline技術(shù)，成為臺(tái)灣第1家在40奈米世代走上技術(shù)開發(fā)自主之路的DRAM廠。
存儲(chǔ)器業(yè)者表示，奇夢(mèng)達(dá)BuriedWordline技術(shù)系當(dāng)初試圖從溝槽式(Trench)技術(shù)轉(zhuǎn)型至堆疊式(Stack)技術(shù)的代表作，2008年底BuriedWordline技術(shù)已成功試產(chǎn)65奈米制程，并完成46奈米產(chǎn)品開發(fā)，原計(jì)劃在2009年中量產(chǎn)，但奇夢(mèng)達(dá)財(cái)務(wù)狀況持續(xù)惡化，2009年3月就宣布破產(chǎn)。
存儲(chǔ)器業(yè)者認(rèn)為，奇夢(mèng)達(dá)BuriedWordline技術(shù)其實(shí)相當(dāng)有競(jìng)爭(zhēng)力，生產(chǎn)出來(lái)的晶圓尺寸非常小，若順利進(jìn)入量產(chǎn)階段，成本結(jié)構(gòu)競(jìng)爭(zhēng)力不輸同業(yè)，當(dāng)時(shí)連爾必達(dá)都被奇夢(mèng)達(dá)該技術(shù)所吸引，雙方一度想要合作，但奇夢(mèng)達(dá)終究因?yàn)樨?cái)務(wù)赤字，而淹沒(méi)在DRAM大崩盤洪流中。
這次華邦借著過(guò)去與奇夢(mèng)達(dá)合作65奈米技術(shù)基礎(chǔ)，加上延攬奇夢(mèng)達(dá)部分設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，以及融合手上奇夢(mèng)達(dá)GDDR專利和技術(shù)，自行開發(fā)46奈米制程，將走出一條有別于目前臺(tái)灣DRAM技術(shù)陣營(yíng)除美光(Micron)和爾必達(dá)外的第3條路。
事實(shí)上，華邦走向自己開發(fā)DRAM制程技術(shù)之路，主要系因華邦營(yíng)運(yùn)重心已逐漸從標(biāo)準(zhǔn)型DRAM轉(zhuǎn)向，專注于SDRAM和NORFlash，因此，40奈米世代技術(shù)對(duì)于華邦而言，雖然一定要參與，但沒(méi)有急迫性，目前SDRAM采65奈米制程生產(chǎn)，直到2010年底都還相當(dāng)具競(jìng)爭(zhēng)力，不像南亞科、華亞科、力晶等標(biāo)準(zhǔn)型DRAM廠追求低成本，急著在2010年下半轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米世代，華邦轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米系為SDRAM下世代技術(shù)鋪路，并不急于導(dǎo)入。
存儲(chǔ)器業(yè)者指出，華邦沒(méi)有與爾必達(dá)合作45奈米制程另一個(gè)考量，系因爾必達(dá)在輸出技術(shù)時(shí)會(huì)要求以產(chǎn)能交換，但華邦旗下12寸晶圓產(chǎn)能只有3.2萬(wàn)片，2010年下半NORFlash產(chǎn)能占掉1萬(wàn)片，加上SDRAM和MobileRAM產(chǎn)能排擠，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能已降至3,000~4,000片，實(shí)在沒(méi)有產(chǎn)能可與爾必達(dá)談判，因而未能成局。
另外，爾必達(dá)過(guò)去輸出技術(shù)除保障產(chǎn)能外，亦會(huì)要求技術(shù)授權(quán)費(fèi)用，產(chǎn)能越大的DRAM廠，每片晶圓所分?jǐn)偧夹g(shù)授權(quán)費(fèi)越低，以華邦3.2萬(wàn)片產(chǎn)能來(lái)看，就算全部都拿來(lái)做DRAM，算下來(lái)每片晶圓成本還是很高，與爾必達(dá)合作未必占便宜。
DRAM業(yè)者認(rèn)為，原本爾必達(dá)在臺(tái)廠布局中，華邦是繼力晶、瑞晶、茂德之后下一個(gè)囊中物，但現(xiàn)在華邦走上自有技術(shù)開發(fā)之路，未來(lái)爾必達(dá)與既有合作伙伴力晶、瑞晶、茂德之間互動(dòng)，勢(shì)必會(huì)更緊密。爾必達(dá)陣營(yíng)中的力晶和瑞晶，計(jì)劃于2010年下半導(dǎo)入45奈米制程，美光陣營(yíng)的南亞科和華亞科則將導(dǎo)入42奈米，如今加上華邦46奈米技術(shù)加入戰(zhàn)局，DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)熱鬧可期。
下載文檔
