電子電路國際展會“JPCA Show 2010”于2010年6月2日在東京有明國際會展中心開幕。會期截至6月4日。此次的參展廠商有454家（上次為440家），展位數(shù)量為1483標(biāo)間（上次為1475標(biāo)間），預(yù)計與會人數(shù)在三天內(nèi)將超過10萬人（上次有9萬4324人）。
在展會現(xiàn)場的Premium Stage舉行的“制造Festa 2010”主題演講中，臺灣日月光集團（ASE Group）集團研發(fā)中心總經(jīng)理兼首席研發(fā)官唐和明介紹了三維LSI的可行性。
唐和明表示，有必要在今后5～10年內(nèi)將智能手機等的數(shù)據(jù)處理性能提高至10～1000倍，僅通過SoC的微細化來實現(xiàn)這一目標(biāo)是比較困難的。唐和明表示，由于成本負擔(dān)激增，微細化進程“將有可能結(jié)束于從2012年前后開始生產(chǎn)的20nm左右工藝”。
作為其對策，企業(yè)正在推進探討高遷移率的通道技術(shù)等，不過在時間上應(yīng)該來不及了，因此唐和明認為“三維LSI將有可能成為有前景的解決方案”。另外，唐和明所說的三維LSI主要是指通過TSV（硅貫通孔）來積層連接芯片之間的技術(shù)，對于芯片間的無線連接技術(shù)也寄予厚望。
使用三維LSI的話，將可以比從20nm工藝細微化至16nm工藝更好地改善性價比，因此唐和明認為今后應(yīng)該轉(zhuǎn)為投資三維LSI。另外，他還指出，三維LSI不僅是制造技術(shù)，系統(tǒng)架構(gòu)也很重要，因此LSI業(yè)界和制造設(shè)備業(yè)界的協(xié)調(diào)不可缺少。
作為二維LSI和三維LSI的中間定位，還提出了2.5維LSI這一觀點。這主要是指通過帶有TSV的硅轉(zhuǎn)接板（Interposer），來積層連接芯片之間的技術(shù)。此時，雖然無法期望具備如同三維LSI般的性能，但是可以利用現(xiàn)有的生產(chǎn)線，因此有望作為面向三維LSI的過渡技術(shù)。
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