DDR3 2Gb將成主流，封測(cè)廠成長(zhǎng)動(dòng)能將受影響

時(shí)間：2010-07-05 06:56:00

關(guān)鍵字： DDR3 GB 內(nèi)存 DRAM

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[導(dǎo)讀]DDR3 今年已經(jīng)完全取代DDR2，本土DRAM廠配合市場(chǎng)趨勢(shì)也陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)生產(chǎn)DDR3，而在容量規(guī)格上面，下半年也將會(huì)看到DDR3 2Gb產(chǎn)品將上市，其中南科(2408)就表示，8月份開始，12吋廠將會(huì)全部投入DDR3 2Gb，預(yù)料最快明年DD

DDR3 今年已經(jīng)完全取代DDR2，本土DRAM廠配合市場(chǎng)趨勢(shì)也陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)生產(chǎn)DDR3，而在容量規(guī)格上面，下半年也將會(huì)看到DDR3 2Gb產(chǎn)品將上市，其中南科(2408)就表示，8月份開始，12吋廠將會(huì)全部投入DDR3 2Gb，預(yù)料最快明年DDR3 2Gb將可成主流，但是對(duì)于后段封測(cè)廠來(lái)說(shuō)，DRAM廠商改生產(chǎn)DDR3 2Gb，顆粒數(shù)量將會(huì)低于原先DDR3 1Gb，預(yù)料將影響接單數(shù)量，使得營(yíng)收動(dòng)能減緩。

內(nèi)存廠商從70奈米一路將制程提升至40奈米，每12吋晶圓Die產(chǎn)出量也大幅增加超過50%，產(chǎn)品也將從DDR3 1Gb提升至DDR3 2Gb，其中國(guó)內(nèi)DRAM廠南科日前指出，8月份所有DRAM產(chǎn)品將會(huì)100%轉(zhuǎn)進(jìn) DDR3 2Gb，預(yù)料包括華亞科(3474)、力晶(5346)也將會(huì)陸續(xù)跟進(jìn)。

對(duì)于未來(lái)DDR3 2Gb將逐漸取代DDR3 1Gb的看法，內(nèi)存封測(cè)廠坦言，DDR3 2Gb的尺寸的確比DDR3 1Gb來(lái)的大一點(diǎn)，因此若以同樣12吋晶圓生產(chǎn)，DDR3 2Gb的顆粒數(shù)產(chǎn)出會(huì)比DDR3 1Gb來(lái)的少，的確是較為不利，因?yàn)榉鉁y(cè)廠最在乎的就是數(shù)量，只要數(shù)量成長(zhǎng)，產(chǎn)能利用率就會(huì)跟著提升，即可順利達(dá)到獲利的標(biāo)準(zhǔn)。

內(nèi)存封測(cè)廠也說(shuō)，至于DDR3 2Gb封裝與測(cè)試的技術(shù)則沒有太大的變化，惟DDR3 2Gb量產(chǎn)初期，測(cè)試的時(shí)間會(huì)比較久，以確保產(chǎn)品良率，等產(chǎn)品成熟之后，測(cè)試時(shí)間就會(huì)恢復(fù)正常。

整體而言，內(nèi)存封測(cè)廠認(rèn)為，內(nèi)存廠商透過下世代或者微縮制程不斷增加產(chǎn)出，即使全部轉(zhuǎn)進(jìn)生產(chǎn)DDR3 2Gb，數(shù)量也會(huì)比過去來(lái)的更多，加上市場(chǎng)需求仍向上成長(zhǎng)、換機(jī)潮可期下，明年內(nèi)存封測(cè)產(chǎn)業(yè)仍會(huì)維持成長(zhǎng)格局，不過成長(zhǎng)動(dòng)能將不如今年來(lái)的強(qiáng)勁。