總投資14億元人民幣 中國(guó)首條八英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)

 中國(guó)南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在株洲奠基，這標(biāo)志著中國(guó)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)。

IGBT(新型功率半導(dǎo)體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)、電力電子、新能源汽車等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”、綠色經(jīng)濟(jì)的“核芯”。

占地160畝、由中國(guó)南車株洲所具體實(shí)施的中國(guó)南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目，總投資14億元人民幣，預(yù)計(jì)到2013年正式投產(chǎn)。項(xiàng)目建成后，將具備年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只IGBT模塊的能力，年產(chǎn)值超過20億元。

“目前，國(guó)內(nèi)缺少IGBT的產(chǎn)業(yè)化設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、封裝、測(cè)試和可靠性試驗(yàn)等一套完整的技術(shù)，國(guó)內(nèi)IGBT的主要供應(yīng)商為外國(guó)廠商。大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè)，將改變核心技術(shù)受制于人，產(chǎn)品依賴進(jìn)口的不利局面，提升中國(guó)軌道交通等重大裝備制造業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。”南車株洲所總工程師馮江華表示。

記者了解到，該基地除建設(shè)一條國(guó)際領(lǐng)先的8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線外，還將建設(shè)9條滿足不同行業(yè)用的IGBT模塊生產(chǎn)線。產(chǎn)品電壓等級(jí)從600伏到6500伏，滿足軌道交通以及電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電、智能電網(wǎng)、高壓變頻、工業(yè)傳動(dòng)等多個(gè)行業(yè)需求，成為中國(guó)首個(gè)完全依靠自主能力建設(shè)、設(shè)計(jì)規(guī)模最大、技術(shù)實(shí)力最強(qiáng)、產(chǎn)品型譜最全的大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地。

作為國(guó)內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)—芯片制造—模塊封裝—系統(tǒng)應(yīng)用完整產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)，中國(guó)南車的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造與銷售都定位在面向全球布局。2010年，中國(guó)南車在海外成立功率半導(dǎo)體研發(fā)中心，負(fù)責(zé)承擔(dān)電力電子器件中長(zhǎng)期戰(zhàn)略項(xiàng)目和重大項(xiàng)目的技術(shù)跟蹤、研究和開發(fā)，專門從事高壓IGBT芯片技術(shù)研究和新一代IGBT器件開發(fā)，支撐并引領(lǐng)公司大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展，縮短與國(guó)際最先進(jìn)水平的差距。

中國(guó)南車透露，期望通過大功率半導(dǎo)體器件IGBT產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的建設(shè)，實(shí)現(xiàn)芯片—模塊—系統(tǒng)應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，填補(bǔ)中國(guó)在這一領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品空白，實(shí)現(xiàn)電力電子器件的技術(shù)跨越，占領(lǐng)技術(shù)制高點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)中國(guó)南車“十二五”期間打造全球大功率半導(dǎo)體器件前三強(qiáng)目標(biāo)。