三星研發(fā)針對(duì)移動(dòng)設(shè)備20nm 4Gb LPDDR3內(nèi)存

時(shí)間：2013-05-02 10:06:00

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[導(dǎo)讀]三星電子日前宣布，開始生產(chǎn)4GB容量低功耗LPDDR3芯片，采用20納米級(jí)工藝技術(shù)。新的4Gb LPDDR3移動(dòng)芯片，可媲美PC中使用的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的性能水平，使其成為一個(gè)有吸引力的解決方案，為要求苛刻的下一代高性能智能手機(jī)和

三星電子日前宣布，開始生產(chǎn)4GB容量低功耗LPDDR3芯片，采用20納米級(jí)工藝技術(shù)。

新的4Gb LPDDR3移動(dòng)芯片，可媲美PC中使用的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的性能水平，使其成為一個(gè)有吸引力的解決方案，為要求苛刻的下一代高性能智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備提供高密度多媒體存儲(chǔ)。

4Gb LPDDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)2133Mbp/每引腳，傳輸性能是之前移動(dòng)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)LPDDR2 800Mbps的2倍以上。同時(shí)，和30納米級(jí)的LPDDR3相比，新設(shè)備性能上提高了30%，同時(shí)功耗節(jié)省20%。

此外，通過采用三星的4Gb LPDDR3移動(dòng)DRAM，原始設(shè)備制造商可以達(dá)成1個(gè)高度僅0.8mm的封包，其中包括四顆三星4Gb LPDDR3移動(dòng)芯片。

三星還表示，將在2013年晚些時(shí)候，增加生產(chǎn)20納米級(jí)的移動(dòng)DRAM芯片。