挑戰(zhàn)英特爾 臺(tái)積電的三大優(yōu)勢(shì)

由數(shù)據(jù)顯示，目前全球有8 寸晶圓廠的半導(dǎo)體公司約有76家，12寸廠有27家，升級(jí)的家數(shù)越來(lái)越少，會(huì)有這樣的現(xiàn)象，原因在于資金墊高了產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入門檻。由早期投資一座月產(chǎn)能2 萬(wàn)片的八寸廠需花費(fèi)8~10 億美元，到了現(xiàn)在12 寸廠需25~30 億，而下一代制程的18 寸廠目前初估，至少需投入80~100 億美元，如此龐大的金額，放眼全球，能拿得出筆金額的半導(dǎo)體公司，只有英特爾、臺(tái)積電、三星與格羅方德。

降低成本，一直以來(lái)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能夠持續(xù)成長(zhǎng)的原因之一，其中的二大關(guān)鍵，一、在于晶圓尺寸的大型化，由8 寸晶圓廠，升級(jí)到12寸到新一代的18 寸晶圓廠，透過(guò)每升級(jí)一次，晶圓的產(chǎn)能就擴(kuò)增2.25 倍，二，制程技術(shù)的微縮化，在每次晶圓寸尺的大型化中，能透過(guò)制程微型化，讓一樣大小的晶圓中，制作出更多的晶體。

不過(guò)放眼望去，不論是曾位居老二的臺(tái)積電與近幾年急起直追的三星與格羅方德，臺(tái)積電眼中真正的對(duì)手只有英特爾，據(jù)業(yè)界表示，雖然這些年臺(tái)積電在制程與技術(shù)上都有很大的躍進(jìn)，但目前仍與英特爾差上至少1 到1.5 個(gè)世代的技術(shù)，以時(shí)間來(lái)說(shuō)，約落后1 到2 年的時(shí)間，在英特爾積極切入晶圓代工領(lǐng)域，對(duì)于臺(tái)積電的威脅遠(yuǎn)比在后追趕的三星，格羅方德大的多。

臺(tái)積電的三大優(yōu)勢(shì)

近期美林證券就指出，臺(tái)積電雖然整體技術(shù)仍落后于英特爾，但目前仍有三優(yōu)勢(shì)存在：

其一、臺(tái)積電于20 納米制程時(shí)的金屬導(dǎo)線寬間距(metal pitch) 為65 納米，而英特爾于22 納米制程時(shí)的金屬導(dǎo)線寬間距則為80 納米，相較之下臺(tái)積電更具密度優(yōu)勢(shì)。

其二、若就功耗而言，ARM 架構(gòu)的CPU 和英特爾的Atom 處理器相比，仍舊擁有優(yōu)勢(shì)。

其三、臺(tái)積的20 納米制程將于明年初開(kāi)始量產(chǎn)，并在明年下半年放量，這個(gè)時(shí)程仍較英特爾快上一季左右。