導(dǎo)入TSV制程技術(shù)　模擬芯片邁向3D堆疊架構(gòu)

類比積體電路設(shè)計(jì)也將進(jìn)入三維晶片(3D IC)時(shí)代。在數(shù)位晶片開發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后，類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線，期透過矽穿孔(TSV)與立體堆疊技術(shù)，在單一封裝內(nèi)整合采用不同制程生產(chǎn)的異質(zhì)類比元件，以提升包括電源晶片、感測(cè)器與無線射頻(RF)等各種類比方案效能。

3D IC技術(shù)將擴(kuò)大類比晶片市場(chǎng)商機(jī)

奧地利微電子(AMS)執(zhí)行副總裁暨Full Service Foundry部門總經(jīng)理Thomas Riener表示，隨著現(xiàn)今電子產(chǎn)品功能愈來愈多，設(shè)備制造商為確保產(chǎn)品功能可靠度，其內(nèi)部的類比晶片數(shù)量正快速增加，導(dǎo)致印刷電路板(PCB)空間愈來愈不夠用，且系統(tǒng)設(shè)計(jì)難度也與日俱增，因此類比晶片制程技術(shù)勢(shì)必須有全新的突破，才能克服此一技術(shù)挑戰(zhàn)。

Riener進(jìn)一步指出，有別于數(shù)位邏輯晶片通常有標(biāo)準(zhǔn)型封裝技術(shù)，類比晶片的封裝技術(shù)種類既多且復(fù)雜，每一個(gè)元件甚至擁有屬于本身較有利的制程技術(shù)，因此進(jìn)行異質(zhì)整合的難度也較高，造成類比晶片在3D IC領(lǐng)域的發(fā)展較為緩慢。所幸目前已有不少晶圓廠與晶片業(yè)者正大舉投入TSV技術(shù)研發(fā)，讓此一技術(shù)愈來愈成熟，將引領(lǐng)類比晶片邁向新的技術(shù)里程碑。

事實(shí)上，奧地利微電子日前已宣布投入2,500萬歐元于奧地利格拉茨的晶圓廠建置類比3D IC生產(chǎn)線，新的生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于2013年底開始正式上線，為該公司旗下的所有產(chǎn)品或晶圓代工服務(wù)客戶提供類比晶片3D立體堆疊先進(jìn)制程。

奧地利微電子類比3D IC投產(chǎn)初期，將率先為醫(yī)學(xué)影像及手機(jī)市場(chǎng)客戶生產(chǎn)各種類比元件。Riener解釋，由于醫(yī)療影像與手機(jī)應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)高效能類比感測(cè)元件與電源管理晶片需求相當(dāng)高，因此初期產(chǎn)能將以這兩大應(yīng)用市場(chǎng)為主，未來隨著3D IC產(chǎn)線擴(kuò)大，可進(jìn)一步服務(wù)汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域。