三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻
[導(dǎo)讀]硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里?至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠(yuǎn)的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，完成了
硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里?至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠(yuǎn)的10nm也早早被列上了議事日程。
三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，完成了測(cè)試樣品、設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施的準(zhǔn)備工作，還有ARM、Cadence、Mentor、Synopsys等眾多合作伙伴的支持。
不過時(shí)至今日，三星也沒有披露14nm具體會(huì)在什么時(shí)候量產(chǎn)，有消息稱要到2015年初，Exynos 6就等它了。
再往后，10nm技術(shù)也正在按計(jì)劃研發(fā)之中，并會(huì)繼續(xù)使用FinFET，還會(huì)初步嘗試使用極紫外光刻(EUV)，和業(yè)內(nèi)步調(diào)一致。
此外，Intel、臺(tái)積電、GlobalFoundries也都在積極推進(jìn)10nm技術(shù)的研發(fā)，屆時(shí)還有可能用上450毫米大晶圓。
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