惠普將推出全新“存儲級內(nèi)存”：與英特爾爭奪新標(biāo)準(zhǔn)

惠普著手開發(fā)全新類別的存儲與內(nèi)存技術(shù)已有多年，這項(xiàng)稱之為“憶阻器”(Memristor)的新技術(shù)，有望以某種形式的堆棧式內(nèi)存來取代DRAM和NAND。盡管其算不上秘密、也算不上受歡迎，但惠普依然選擇了與SanDisk攜手打造一些基于憶阻器的存儲設(shè)備，并將之推向數(shù)據(jù)中心和其它企業(yè)?；萜盏哪繕?biāo)很簡單，那就是為商業(yè)客戶開發(fā)高端產(chǎn)品。

未來幾年，惠普憶阻器與三星/英特爾之間還有一場硬仗要打

惠普的憶阻器技術(shù)將與英特爾的3D XPoint和三星的3D NAND展開直接競爭，其旨在打破傳統(tǒng)內(nèi)存(RAM)與存儲之間的隔閡，速度可達(dá)NAND閃存存儲的1000倍，但是沒有傳統(tǒng)的RAM那么快。

好的一面是，與斷電就丟數(shù)據(jù)的RAM不同，憶阻器和3D XPoint更類似，因?yàn)樗跀嚯姷那闆r下仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，這這點(diǎn)與傳統(tǒng)的閃存也很像。通過結(jié)合雙方的優(yōu)點(diǎn)，可以更好地實(shí)現(xiàn)性能和成本(能源/環(huán)保)方面的均衡。

惠普與SanDisk傾向于把新式憶阻器數(shù)據(jù)存儲內(nèi)存叫做“存儲級內(nèi)存”(Storage Class Memory)，畢竟它是專為數(shù)據(jù)中心而打造的。但是在3D XPoint面前，它能否贏得客戶的心，目前還是個未知數(shù)。

盡管惠普揭曉憶阻器的時間更早，但其進(jìn)步的速度還是趕不上英特爾，且“事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)”向來都更容易落到更強(qiáng)勢的那一家。

早在今年的開發(fā)者論壇(IDF 2015)上，英特爾就已經(jīng)展示過首款3D XPoint SSD。該設(shè)備擁有6GB/s的帶寬，并且兼容DDR4和PCIe 3.0 x4插槽。