在日前的Hot Chips 2016國際會議上,三星公開討論了后GDDR5時代的顯卡存儲器標準,提出新一代顯卡存儲器速率在14-16Gbps,電壓1.35V,簡單來說就是在保持時鐘頻率1.75GHz的情況下,將數(shù)據(jù)頻率至少翻倍。
從三星給出的路線圖來看,下一代存儲器標準預(yù)計會在2018年問世,其中DDR5速率超過3Gbps,LPDDR5速率超過6Gbps,而GDDR5頻率超過14Gbps,而且新標準會更節(jié)能,LPDDR5標準能效提升20%。
隨著GPU效能的提升,對顯卡存儲器的要求也越來越高,高頻寬、低延遲存儲器成為研發(fā)的熱點。在這方面,除了革命性的HBM顯卡存儲器之外,現(xiàn)有GDDR顯卡存儲器還會繼續(xù)升級,美光主導(dǎo)的GDDR5X存儲器只是過渡版,下一代顯卡存儲器標準將是GDDR6,預(yù)計2018年隨著DDR5標準問世,速率可達14-16Gbps。
現(xiàn)在的GDDR5存儲器已經(jīng)發(fā)展到了8Gb顆粒、8Gbps速率,AMD、NVIDIA顯卡都已經(jīng)用上,NVIDIA的GTX 1080顯卡還率先采用GDDR5X,頻率10Gbps,后者也是JEDEC標準,潛在目標速率可達14Gbps,不過GDDR5X只有美光在搞,三星、SK Hynix看起來是沒有打算推出GDDR5X。LP4X類似GDDR5X,也是過渡型號,IO電壓降低到了0.6V,IO部分節(jié)能45%,總體節(jié)能18%。