業(yè)界最快trr性能的600V超級結(jié)MOSFET PrestoMOS 新增更低Ron、更低Qg的“R60xxMNx系列

時(shí)間：2017-07-05 16:00:00

關(guān)鍵字： rohm 模擬技術(shù) prestomos

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[導(dǎo)讀]全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的高速trr※1型600V 超級結(jié)MOSFET PrestoMOS※產(chǎn)品群又新增“R60xxMNx系列”，非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

<概要>

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的高速trr※1型600V 超級結(jié)MOSFET PrestoMOS※產(chǎn)品群又新增“R60xxMNx系列”，非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。PrestoMOS是擁有業(yè)界最快trr性能的功率MOSFET，以業(yè)界最小的開關(guān)損耗著稱。因使搭載變頻器的白色家電的功耗更低而獲得高度好評。

此次開發(fā)的“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化ROHM獨(dú)有的芯片結(jié)構(gòu)，在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基礎(chǔ)上，還成功地使Ron※2和Qg※3顯著降低。由此，在變頻空調(diào)等電機(jī)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，輕負(fù)載時(shí)的功率損耗與以往的IGBT相比，降低約56%，節(jié)能效果非常明顯。

不僅如此，“R60xxMNx系列”利用ROHM多年積累的模擬技術(shù)優(yōu)勢，還實(shí)現(xiàn)了超強(qiáng)的短路耐受能力，減輕了因電路誤動(dòng)作等導(dǎo)致的異常發(fā)熱帶來的破壞風(fēng)險(xiǎn)，有助于提高應(yīng)用的可靠性。

本系列產(chǎn)品已于2016年12月份開始以月產(chǎn)10萬個(gè)規(guī)模投入量產(chǎn)，前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Semiconductor (Korea) Co., Ltd.(韓國)。

今后，ROHM將繼續(xù)開發(fā)凝聚了ROHM模擬設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)勢的高性能、高可靠性產(chǎn)品，不斷為社會的進(jìn)一步節(jié)能貢獻(xiàn)力量。

<背景>

近年來，節(jié)能化趨勢日益加速，隨著日本節(jié)能法的修訂，家電產(chǎn)品傾向于采用更接近實(shí)際使用情況的能效標(biāo)識APF(Annual Performance Factor)※4，不再僅僅關(guān)注功率負(fù)載較大的設(shè)備啟動(dòng)時(shí)和額定條件下的節(jié)能，要求負(fù)載較小的正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)更節(jié)能的趨勢日益高漲。據(jù)稱，在全球的電力需求中，近50%被用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)，隨著空調(diào)在新興國家的普及，全球的電力局勢逐年嚴(yán)峻。在這種背景下，ROHM開發(fā)出PrestoMOS，非常適用于要求低功耗化的空調(diào)等白色家電和工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動(dòng)，可大大降低應(yīng)用正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的功耗，滿足了社會的節(jié)能需求。

<特點(diǎn)>

1. 業(yè)界最快的trr性能、低Ron、低Qg，有助于應(yīng)用節(jié)能

一般MOSFET具有高速開關(guān)和低電流范圍的傳導(dǎo)損耗低的優(yōu)點(diǎn)，設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)可有效降低功耗。“R60xxMNx系列”利用ROHM獨(dú)有的Lifetime控制技術(shù)，不僅保持了業(yè)界最快trr性能，而且Ron和Qg更低，非常有助于變頻電路的節(jié)能。

2.超強(qiáng)短路耐受能力，確?？煽啃?/p>

通常，一旦發(fā)生短路，即具有電路誤動(dòng)作、流過超出設(shè)計(jì)值的大電流、引起異常發(fā)熱、甚至元件受損的可能性。一直以來，因性能與短路之間的制約關(guān)系，確保超強(qiáng)的短路耐受能力是非常困難的，而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模擬技術(shù)優(yōu)勢，對熱失控的成因---寄生雙極晶體管成功地進(jìn)行了優(yōu)化，可確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)所必須的短路耐受能力，有助于提高應(yīng)用的可靠性。

3.自導(dǎo)通損耗微小

自導(dǎo)通是指MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下，高邊主開關(guān)一旦導(dǎo)通，則低邊MOSFET的漏極-源極間電壓急劇增加，電壓被柵極感應(yīng)，柵極電壓上升，MOSFET誤動(dòng)作。該現(xiàn)象使MOSFET內(nèi)部產(chǎn)生自身功率損耗。而“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化寄生電容，可將該損耗控制在非常微小的最低范圍內(nèi)。

<應(yīng)用>

空調(diào)、冰箱、工業(yè)設(shè)備(充電站等)

<產(chǎn)品陣容表>

☆開發(fā)中

另外，產(chǎn)品陣容包括下述封裝產(chǎn)品，詳情敬請垂詢。

同時(shí)，TO-263(LPTS)封裝的樣品也準(zhǔn)備了一部分。

<術(shù)語解說>

※1　trr : 反向恢復(fù)時(shí)間

開關(guān)二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所花的時(shí)間。

※2　Ron : 導(dǎo)通電阻(Ω)

開關(guān)二極管成為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的電阻值。

※3　Qg : 柵極輸入電荷量