NAND閃存超級(jí)周期將發(fā)生逆轉(zhuǎn)

內(nèi)存/閃存行業(yè)周期即將到來(lái)，下行風(fēng)險(xiǎn)也隨之升高，受行業(yè)龍頭三星重挫影響其他的閃存供應(yīng)商群股市集體大跌盤(pán)。

摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲(chǔ)器芯片獲利恐難顯著成長(zhǎng)為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評(píng)等自“加碼”降至“中性權(quán)重”，目標(biāo)價(jià)下修3.4%至280萬(wàn)韓元。大摩指出，隨著NAND型快閃存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)在2017年第四季開(kāi)始反轉(zhuǎn)，下行風(fēng)險(xiǎn)隨之升高;在此同時(shí)，2018年第一季以后的DRAM供需能見(jiàn)度也已降低。自2016年一季度以來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)所享受的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求和史無(wú)前例的定價(jià)權(quán)難以為繼，NAND閃存超級(jí)周期料將發(fā)生逆轉(zhuǎn)。

三星電子10月表示，2018年DRAM、NAND型快閃存儲(chǔ)器供需預(yù)估將持續(xù)呈現(xiàn)吃緊。三星電子27日盤(pán)中下跌4.2%，創(chuàng)一年多以來(lái)最大跌幅。三星競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SKHynix一度下跌3.6%，創(chuàng)10月底以來(lái)最大跌幅。韓國(guó)股市27日早盤(pán)遭逢來(lái)自外資與法人的賣(mài)壓，以三星電子為首的科技股領(lǐng)跌。

截至北京時(shí)間27日12時(shí)41分為止，三星電子下跌4.18%，報(bào)2，657，000韓元;開(kāi)盤(pán)迄今最低跌至2，650，000韓元，創(chuàng)10月27日以來(lái)新低。SK Hynix下跌2.35%，報(bào)83，100韓元;開(kāi)盤(pán)迄今最低跌至82，000韓元，創(chuàng)11月20日以來(lái)新低。

美國(guó)存儲(chǔ)器大廠(chǎng)美光科技(Micron Technology Inc.)11月24日上漲1.10%，收49.68美元，創(chuàng)2000年9月27日以來(lái)收盤(pán)新高;今年迄今大漲126.64%。

英特爾、美光科技11月13日宣布，IM Flash B60晶圓廠(chǎng)已完成擴(kuò)建工程。新聞稿指出，規(guī)模擴(kuò)大后的晶圓廠(chǎng)將生產(chǎn)3D XPoint存儲(chǔ)器媒體。成立于2006年的IM Flash合資企業(yè)替英特爾與美光生產(chǎn)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。美光將在12月19日公布2018會(huì)計(jì)年度第一季財(cái)報(bào)。新聞稿顯示，美光的存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存解決方案協(xié)助推動(dòng)人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)以及自主駕駛車(chē)等顛覆性趨勢(shì)。

大摩認(rèn)為內(nèi)存/閃存行業(yè)周期即將到來(lái)，并將三星電子、臺(tái)積電和西部數(shù)據(jù)等半導(dǎo)體硬盤(pán)龍頭企業(yè)均遭下調(diào)至“觀(guān)望”評(píng)級(jí)，全球最大的工業(yè)寬溫閃存供應(yīng)商群聯(lián)電子遭下調(diào)至“看跌”評(píng)級(jí)，目標(biāo)股價(jià)較市價(jià)縮水12%。受行業(yè)龍頭三星重挫影響，A股芯片概念股今日也領(lǐng)跌大盤(pán)，A股半導(dǎo)體板塊72家企業(yè)中有64家下跌，板塊平均收跌4.28%，截止收盤(pán)韋爾股份、匯頂科技、景嘉微、國(guó)科微均跌停。