國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展，本月底試產(chǎn)，明年正式量產(chǎn)！

近日，在深圳會展中心舉辦的深圳國際電子展上，英諾賽科(珠海)科技有限公司市場銷售副總裁參加“2018(冬季)中國USB PD快充產(chǎn)業(yè)高峰論壇”分享了“8英寸硅基氮化鎵在快充應(yīng)用的機會和挑戰(zhàn)”主題演講。

陳鈺林分別從企業(yè)介紹、GaN在快充市場的機會、高頻高效快充方案挑戰(zhàn)點三個角度入手，給行業(yè)工程師們分享了有關(guān)GaN的相關(guān)知識。

GaN被譽為繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料，第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，在光電子、大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。

陳鈺林透露，國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展，100V、150V、650V三個GaN新品將于2018年12月底試產(chǎn)，2019年正式量產(chǎn)。目前，英諾賽科已有5個產(chǎn)品(40V、60V、100V等)實現(xiàn)小批量生產(chǎn)并有接到訂單，這些產(chǎn)品均采用了目前行業(yè)領(lǐng)先的8寸Fab產(chǎn)線制造。

目前英諾賽科采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，國內(nèi)首家自建8寸晶圓廠用于GaN的產(chǎn)業(yè)配套，成功建立了一條涵蓋研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、測試、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)完整的GaN產(chǎn)業(yè)鏈。產(chǎn)品包括30V到650V的功率器件，功率模塊，及射頻器件等，將在5G通信，新能源汽車，智能制造，人工智能，大數(shù)據(jù)中心等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域擁有巨大的優(yōu)勢和發(fā)展空間。

現(xiàn)場，英諾賽科展示了最新的15W車載充電器應(yīng)用案例，通過跟傳統(tǒng)方案對比發(fā)現(xiàn)，具有體積小、效率高等特色，這個正是基于量產(chǎn)的GaN進(jìn)行開發(fā)設(shè)計。

除了車載充電器應(yīng)用，氮化鎵在大功率快充充電器的應(yīng)用可謂吸引了全球眼球，高速高頻高效讓大功率USB PD充電器不再是魁梧磚塊，小巧的體積一樣可以實現(xiàn)大功率輸出，比Apple原廠30W充電器更小更輕便。

將內(nèi)置氮化鎵充電器與傳統(tǒng)充電器并排放在一起看看，內(nèi)置氮化鎵充電器輸出功率達(dá)到27W，Apple USB-C充電器輸出功率30W，兩者功率相差不大，但體積上卻是完全不同的級別，內(nèi)置氮化鎵充電器比蘋果充電器體積小40%。