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[導(dǎo)讀]DRAM廠第3季財(cái)報(bào)陸續(xù)公布,在價(jià)格崩盤、減產(chǎn)導(dǎo)致出貨減少下,各廠第3季虧損金額都持續(xù)擴(kuò)大,南亞科和華亞科合計(jì)單季虧損將近新臺(tái)幣190億元,力晶第3季則虧損66.63億元,對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)后市,南亞科釋出悲觀訊息表示,近

DRAM廠第3季財(cái)報(bào)陸續(xù)公布,在價(jià)格崩盤、減產(chǎn)導(dǎo)致出貨減少下,各廠第3季虧損金額都持續(xù)擴(kuò)大,南亞科和華亞科合計(jì)單季虧損將近新臺(tái)幣190億元,力晶第3季則虧損66.63億元,對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)后市,南亞科釋出悲觀訊息表示,近期泰國洪水問題影響到硬碟馬達(dá)龍頭廠日本電廠(Nidec),客戶對(duì)于11、12月訂單仍在評(píng)估中,最悲觀的情況是對(duì)2012年1、2月需求產(chǎn)生沖擊,讓DRAM市場更加疲軟。

南亞科2011年第3季自行營收73.23億元,較上季減少約36%,營業(yè)凈損98.2億元,稅后虧損119.63億元,以股本403億元換算,單季每股虧損2.97元;華亞科第3季營收89.44億元,營業(yè)損失約69.17億元,稅后虧損約70.22億元,單季每股虧損1.52元,其中第3季稅后虧損包含跌價(jià)損失約11.98億元。

力晶原本第2季虧損大幅縮小,但第3季在DRAM價(jià)格大跌、減產(chǎn)和減少出貨下,單季虧損幅度再度擴(kuò)大至66.63億元,換算每股稅后虧損1.2元;合計(jì)南亞科、華亞科、力晶3大DRAM廠第3季虧損高達(dá)256億元。

南亞科發(fā)言人白培霖表示,日前泰國洪水問題影響硬碟供應(yīng)鏈,尤其是市占率超過50%的馬達(dá)龍頭廠商日本電產(chǎn)的泰國廠飽受洪災(zāi)之傷,將影響到未來個(gè)人電腦(PC)和筆!記型電腦(NB)市場出貨情況,雖然客戶稱10月仍有庫存因應(yīng),但11、12月狀況都還在評(píng)估,最糟的可能性是影響2012年1、2月出貨,因此對(duì)DRAM需求也會(huì)疲軟;再者,2011年第4季并沒有傳統(tǒng)需求的跡象。

南亞科第3季虧損擴(kuò)大,主要是因?yàn)槠涑鲐浟枯^第2季減少7%,DRAM平均售價(jià)受到崩盤影響而大跌32%,導(dǎo)致單季虧損逼近120億元;南亞科指出,已于7月正式導(dǎo)入30奈米制程技術(shù)作試產(chǎn),預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入量產(chǎn),期望降低成本結(jié)構(gòu)。

展望第4季,南亞科預(yù)估位元成長率(bitgrowth)將較第3季成長5~10%,全年位元成長率預(yù)估為55~60%;再者,2011年資本支出仍維持120億元,主要是添購轉(zhuǎn)進(jìn)30奈米制程技術(shù)的機(jī)器設(shè)備;再者,南亞科日前為提升凈值,避免每股凈值轉(zhuǎn)負(fù)引發(fā)下市危機(jī),因此宣布辦理150億股以內(nèi)的私募,預(yù)計(jì)于11月17日舉行臨時(shí)股東會(huì),整起私募案寄望于11月底前完成。

華亞科第3季每片晶圓所?X的晶粒數(shù)較第2季增加15%,但每片晶圓平均營收則較上季減少21%,第3季晶圓出貨雖較上季成長12%,但營收仍是較上季減少12%。

華亞科已于9月初完成42奈米制程轉(zhuǎn)換,第3季位元出貨量為28%,在制程轉(zhuǎn)換帶動(dòng)下,晶片生產(chǎn)總成本減少16%;華亞科表示,預(yù)估2011年第4季位元出貨量將增加15~20%,全年位元出貨量預(yù)期將達(dá)130%。

再者,華亞科從8月中開始試產(chǎn)30奈米制程,預(yù)計(jì)2012年第1季將開始進(jìn)入量產(chǎn)30奈米4GbDDR3產(chǎn)品,目標(biāo)是在2012年中30奈米制程比重可達(dá)30%。

華亞科指出,2011年前3季已入帳資本支出為113億元,因42奈米制程轉(zhuǎn)換所需費(fèi)用較預(yù)計(jì)減少,且30奈米制程轉(zhuǎn)換規(guī)劃將暫時(shí)先不動(dòng)用華亞M廠(原亞美科技廠房),因此2011全年資本支出將由原本的170億元下調(diào)至120億元。

除了南亞科進(jìn)行募資之外,華亞科日前也規(guī)劃辦理現(xiàn)金增資,預(yù)計(jì)發(fā)行11億股普通股,為轉(zhuǎn)進(jìn)30奈米制程做準(zhǔn)備。

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