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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電資深研發(fā)副總蔣尚義昨(25)日出席VLSI國(guó)際研討會(huì)后指出,臺(tái)積電在先進(jìn)制程進(jìn)度一如預(yù)期,28奈米今年將正式量產(chǎn),現(xiàn)在已有2個(gè)產(chǎn)品對(duì)終端系統(tǒng)客戶(hù)送樣,今年研發(fā)主力已推進(jìn)到20奈米,預(yù)計(jì)明年下半年就可試產(chǎn)。日

臺(tái)積電資深研發(fā)副總蔣尚義昨(25)日出席VLSI國(guó)際研討會(huì)后指出,臺(tái)積電在先進(jìn)制程進(jìn)度一如預(yù)期,28奈米今年將正式量產(chǎn),現(xiàn)在已有2個(gè)產(chǎn)品對(duì)終端系統(tǒng)客戶(hù)送樣,今年研發(fā)主力已推進(jìn)到20奈米,預(yù)計(jì)明年下半年就可試產(chǎn)。日本311強(qiáng)震后,臺(tái)積電在材料上均有替代方案且已獲解決,只是客戶(hù)端受影響狀況無(wú)法掌握,所以仍存有變數(shù)。

蔣尚義昨日出席VLSI國(guó)際研討會(huì),并以矽晶片技術(shù)的挑戰(zhàn)為題發(fā)表演說(shuō)。他表示,就大方向來(lái)看,摩爾定律可延用到7奈米,再做個(gè)十幾年沒(méi)有問(wèn)題,然在半導(dǎo)體晶片部份,晶圓代工廠(chǎng)除了要將晶片尺寸做小,還得進(jìn)一步將整個(gè)系統(tǒng)縮小,所以對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),未來(lái)10年至20年間,仍有很多可以發(fā)揮的空間,不會(huì)只有制程微縮這條路可走。

在晶片及系統(tǒng)的微小化趨勢(shì)中,晶圓代工廠(chǎng)與封裝廠(chǎng)間合作空間愈來(lái)愈大。蔣尚義指出,過(guò)去晶圓代工廠(chǎng)幾乎不與封裝廠(chǎng)往來(lái),直到0.13微米采用低介電技術(shù)后,熱膨脹問(wèn)題讓封裝完成的晶片出現(xiàn)龜裂,才促成晶圓代工廠(chǎng)及封裝廠(chǎng)合作,共同尋找替代性材料,而未來(lái)晶片走向3D空間整合,合作會(huì)愈趨密切。

臺(tái)積電本季已開(kāi)始試產(chǎn)28奈米,本以為制程推進(jìn)后成本變高,客戶(hù)接受度會(huì)降低,但沒(méi)想到接受度很高,完成設(shè)計(jì)定案(的晶片數(shù)量比起前一世代的40奈米試產(chǎn)時(shí)多2倍以上。臺(tái)積電今年有70個(gè)28奈米晶片完成設(shè)計(jì)定案,目前已送出2個(gè)產(chǎn)品給客戶(hù),客戶(hù)也將這2個(gè)產(chǎn)品送交他們的客戶(hù)進(jìn)行認(rèn)證。

 
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