[導讀]南亞科和華亞科20日將打頭陣召開法說，然力晶卻搶先公布第3季財報，稅后獲利19.36億元，若加計瑞晶獲利，第3季獲利可望逼近30億元；南亞科和華亞科則因為50奈米制程轉換，產出不如預期，加上DDR3價格慢性崩盤，使得2
南亞科和華亞科20日將打頭陣召開法說，然力晶卻搶先公布第3季財報，稅后獲利19.36億元，若加計瑞晶獲利，第3季獲利可望逼近30億元；南亞科和華亞科則因為50奈米制程轉換，產出不如預期，加上DDR3價格慢性崩盤，使得2家公司第3季虧損分別逾20億和30億元。展望第4季，若1Gb芯片價格跌到1美元，2Gb芯片跌破2美元，這3家臺DRAM廠恐將全數(shù)虧損。
力晶自結第3季(不含轉投資瑞晶)營收250.24億元，毛利率17.35%，營業(yè)凈利率12.89%，稅前獲利22.91億元、稅后獲利19.36億元，換算每股稅后0.34元；累計前3季稅后約122.39億元，每股獲利2.22元。力晶轉投資瑞晶第3季由于從65奈米轉換至63奈米制程速度快，7月全數(shù)產出都已是63奈米制程產品，成本大幅下降20%，若加計瑞晶獲利挹注，力晶第3季獲利上看30億元。
相較之下，南亞科和華亞科第3季財報則是持續(xù)虧損，虧損金額分別以20億和30億元起跳。南亞科和華亞科第3季財報不如預期，主要是受到50奈米制程轉換影響。華亞科7、8月期間因為全數(shù)停止溝槽式制程，產出大幅減少，導致成本大幅提升，加上DDR3價格逐月慢性崩盤走勢，使得南亞科和華亞科第3季虧損都將較第2季擴大。
?o注意的是，由于1Gb容量DDR3芯片報價已跌破2美元，10月上旬2GB容量DDR3模塊報價又再重挫6~9%，這種慢性崩盤趨勢將一路持續(xù)至2010年底，預期年底1Gb容量DDR3芯片恐往1美元靠攏，2Gb芯片價格則約2美元，屆時全球能獲利的DRAM廠除三星電子(SamsungElectronics)外，恐怕是寥寥可數(shù)。
華亞科第4季底12吋晶圓廠13萬片產能將傾巢而出，可望大幅降低成本，雖然有利轉虧為盈，但以其成本結構來看，若年底2Gb芯片價格力撐在2美元以上，第4季營運轉盈才有機會，但若2Gb芯片價格跌破2美元，南亞科和華亞科第4季恐將持續(xù)面臨虧損壓力。
力晶第4季主要壓力還是來自于現(xiàn)貨價跌勢，若力晶全?銃i63奈米制程，成本頂多撐在1.4美元附近，一旦1Gb價格往1美元靠攏，力晶亦將承受由盈轉虧壓力；至于瑞晶狀況會好些，由于積極轉進45奈米，2Gb芯片成本不到1.5美元，屆時力晶可望獲得瑞晶獲利挹注。
力晶自結第3季(不含轉投資瑞晶)營收250.24億元，毛利率17.35%，營業(yè)凈利率12.89%，稅前獲利22.91億元、稅后獲利19.36億元，換算每股稅后0.34元；累計前3季稅后約122.39億元，每股獲利2.22元。力晶轉投資瑞晶第3季由于從65奈米轉換至63奈米制程速度快，7月全數(shù)產出都已是63奈米制程產品，成本大幅下降20%，若加計瑞晶獲利挹注，力晶第3季獲利上看30億元。
相較之下，南亞科和華亞科第3季財報則是持續(xù)虧損，虧損金額分別以20億和30億元起跳。南亞科和華亞科第3季財報不如預期，主要是受到50奈米制程轉換影響。華亞科7、8月期間因為全數(shù)停止溝槽式制程，產出大幅減少，導致成本大幅提升，加上DDR3價格逐月慢性崩盤走勢，使得南亞科和華亞科第3季虧損都將較第2季擴大。
?o注意的是，由于1Gb容量DDR3芯片報價已跌破2美元，10月上旬2GB容量DDR3模塊報價又再重挫6~9%，這種慢性崩盤趨勢將一路持續(xù)至2010年底，預期年底1Gb容量DDR3芯片恐往1美元靠攏，2Gb芯片價格則約2美元，屆時全球能獲利的DRAM廠除三星電子(SamsungElectronics)外，恐怕是寥寥可數(shù)。
華亞科第4季底12吋晶圓廠13萬片產能將傾巢而出，可望大幅降低成本，雖然有利轉虧為盈，但以其成本結構來看，若年底2Gb芯片價格力撐在2美元以上，第4季營運轉盈才有機會，但若2Gb芯片價格跌破2美元，南亞科和華亞科第4季恐將持續(xù)面臨虧損壓力。
力晶第4季主要壓力還是來自于現(xiàn)貨價跌勢，若力晶全?銃i63奈米制程，成本頂多撐在1.4美元附近，一旦1Gb價格往1美元靠攏，力晶亦將承受由盈轉虧壓力；至于瑞晶狀況會好些，由于積極轉進45奈米，2Gb芯片成本不到1.5美元，屆時力晶可望獲得瑞晶獲利挹注。
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