緊咬臺積電不放格羅方德后年量產(chǎn)14nm

時間：2012-10-10 14:23:48

關(guān)鍵字：臺積電格羅方德 GLOBALFOUNDRIES FINFET

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[導(dǎo)讀]格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將于2014年量產(chǎn)14nm方案。為與臺積電爭搶下一波行動裝置晶片制造商機，GLOBALFOUNDRIES將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體(3DFinFET)架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計明年客戶即可開始投片，后年則可望大

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將于2014年量產(chǎn)14nm方案。為與臺積電爭搶下一波行動裝置晶片制造商機，GLOBALFOUNDRIES將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體(3DFinFET)架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計明年客戶即可開始投片，后年則可望大量生產(chǎn)。

GLOBALFOUNDRIES全球行銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁MichaelNoonen指出，3DFinFET架構(gòu)具有低功耗優(yōu)勢，將成為下一波半導(dǎo)體制造的主流技術(shù)。

GLOBALFOUNDRIES全球行銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁MichaelNoonen表示，隨著行動裝置功能日益豐富，消費者對于電池使用壽命的要求亦日趨嚴苛，促使半導(dǎo)體制程技術(shù)須持續(xù)向上精進，以利優(yōu)化系統(tǒng)單晶片(SoC)的效能。為實現(xiàn)此一愿景，在新一代14nm制程技術(shù)中采用3DFinFET架構(gòu)，可將電流泄漏減到最低，延長電池使用壽命。

Noonen進一步指出，相較于現(xiàn)今2D平面式電晶體，3DFinFET藉由將導(dǎo)電通路設(shè)計于兩側(cè)，形成可控制電流流動的閘極環(huán)繞的3D鰭狀架構(gòu)，可為行動裝置提升40～60%電池使用壽命，再加上14nm制程技術(shù)的助力，即可輕松解決行動裝置電池電力消耗過快的棘手挑戰(zhàn)。

有鑒于此，GLOBALFOUNDRIES下一代制程技術(shù)--14nm-XM即采用3DFinFET架構(gòu)，并可運用該公司即將量產(chǎn)的20nm-LPM制程技術(shù)的矽智財(IP)，讓想利用FinFETSoC優(yōu)勢的IC設(shè)計商能以最快的速度從20nm無縫轉(zhuǎn)移至14nm。

據(jù)了解，目前GLOBALFOUNDRIES已快馬加鞭展開14nm-XM技術(shù)研發(fā)工作，除開始提供制程設(shè)計套件(PDK)外，矽晶片也已在紐約薩拉托加郡的晶圓八廠進行測試中，明年將可進行投片試產(chǎn)，后年則進入量產(chǎn)階段，成為??各大晶圓代工廠中，率先于14nm量產(chǎn)時程競賽中達陣的業(yè)者。

不光是GLOBALFOUNDRIES將在下一代制程技術(shù)中采用3DFinFET，臺積電因應(yīng)未來市場需求，亦于日前變動技術(shù)藍圖，將原本下一代14奈米制程改成較符合客戶需求的16奈米制程，而此一16奈米制程也將首度導(dǎo)入3DFinFET電晶體制程，預(yù)計投產(chǎn)時間為2015年。

另一方面，GLOBALFOUNDRIES在28奈米產(chǎn)品線的業(yè)務(wù)拓展亦大有斬獲。Noonen透露，目前GLOBALFOUNDRIES不但已取得許多國際IC設(shè)計大廠的訂單，且28nm產(chǎn)能利用率正快速攀升中，現(xiàn)階段月產(chǎn)量可達六～八萬片，連同32nm在內(nèi)，每月總共可提供近三十萬片產(chǎn)量，足以滿足客戶的需求。

盡管GLOBALFOUNDRIES在先進制程的量產(chǎn)腳步不斷加快，但相較于臺積電、三星(Samsung)、英特爾(Intel)等競爭對手紛紛入股艾司摩爾(ASML)，以布局未來18寸晶圓商機，GLOBALFOUNDRIES則顯得略為保守。Noonen對此指出，18寸晶圓是否符合未來半導(dǎo)體制造成本仍是未定之數(shù)，GLOBALFOUNDRIES會藉由尋求合作機會進行仔細評估，并且持續(xù)密切關(guān)注產(chǎn)業(yè)最新動態(tài)與市場需求。