三星電子宣布投資104億美元的最新閃存生產線開始量產

時間：2011-09-26 11:24:07

關鍵字：三星電子閃存芯片 NAND CHIP

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[導讀]全球最大內存芯片廠商三星電子日前宣布，最新1條閃存芯片（flashmemorychip）產線開始量產，將提升平板計算機和智能型手機所需芯片產能。此外，采用20納米制程技術的先進DRAM芯片產線也已啟動生產。三星斥資12兆韓元

全球最大內存芯片廠商三星電子日前宣布，最新1條閃存芯片（flashmemorychip）產線開始量產，將提升平板計算機和智能型手機所需芯片產能。此外，采用20納米制程技術的先進DRAM芯片產線也已啟動生產。

三星斥資12兆韓元（約104億美元），自去年5月開始建造新廠。董事長李健熙在華城新廠開幕儀式上現(xiàn)身，他表示全球半導體產業(yè)正經歷劇烈的循環(huán)波動，“我們必須進一步提升技術能力，以因應半導體業(yè)一場更激烈的風暴，維持領導地位。”

三星指出，新產線的加入將大幅提升產能，同時亦可減少能源消耗。據(jù)市調機構IHSiSuppli數(shù)據(jù)顯示，今年第2季三星在全球DRAM市場握有41.6％市占，同期在NAND型閃存市場，三星市占也同樣為41.6％。

三星表示，將提高NAND型閃存芯片，以因應不斷增長的需求，同時也可望于明年導入10納米制造技術。南Kiwoom證券分析師李在允（音譯）說：“三星最新技術進展，意謂著與臺灣對手之間的技術差距更大，可能甚至會導致對手在明年初退出市場。”