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[導讀]集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第3季營收數(shù)字達108億美元,雖然DRAM總產(chǎn)出量季成長15%,但在第3季合約價跌幅超乎預期拖累,相較于上季營收104億美元,僅微幅成長約3.4%。而在全球市占上,韓系D

集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第3季營收數(shù)字達108億美元,雖然DRAM總產(chǎn)出量季成長15%,但在第3季合約價跌幅超乎預期拖累,相較于上季營收104億美元,僅微幅成長約3.4%。而在全球市占上,韓系DRAM廠第3季已囊括全球61.2%市占率,日系廠占16.3%,美系廠占12.2%,臺廠則微幅下滑至10.3%。

集邦表示,第3季DRAM合約價受到DRAM產(chǎn)出增加與PC需求旺季不如預期影響,價格呈現(xiàn)下滑走勢,第3季DDR32GB合約均價為40美元,較上季的46美元下滑約13%,現(xiàn)貨市場DDR31GbeTT顆粒均價則較上季下跌18%至2.27美元,DDR21GbeTT則下跌約16%。

從全球DRAM廠自有品牌內(nèi)存營收排名來分析,韓系廠商三星營收仍居全球DRAM廠之冠,季成長21.9%,營收成長貢獻來自DRAM產(chǎn)出增加20%以上,DRAM均價也微幅上揚,DRAM市占率由第2季的34.3%大幅成長至40.4%。

海力士第3季受到46nm良率提升不如預期,DRAM產(chǎn)出僅增加2%,均價下跌9%影響,市占率由上季的21.6%下跌至19.8%。

日系廠商爾必達第3季營收季減9.4%,市占率也由18.4%下降至16.1%.主要因為在40nm制程上轉進仍居初期,產(chǎn)出僅微幅成長。

在華亞科制程轉換下,投片及產(chǎn)出減少影響,美光第3季DRAM產(chǎn)出減少12%,DRAM均價也微幅下跌,造成第3季營收下跌約10%,市占率也下跌至12%。

而在臺系廠部分,南科雖來自華亞科廠的產(chǎn)出減少,自有DRAM產(chǎn)出成長率在50nm轉進及投片增加下,總銷售位本季成長14%,但受到DRAM銷售價格下跌15%拖累,第3季營收下滑約5.2%,市占率也微幅下降至4.2%。

力晶為臺系廠表現(xiàn)最佳的廠商,在63nm制程比例增加及良率提升的挹注下,第3季營收為2.75億美元,與第2季相比上升12.9%。

華邦電雖然第3季營收季減2.7%,但由于華邦電已經(jīng)淡出標準型內(nèi)存市場,較不受此波DRAM價格下探影響,對于后續(xù)表現(xiàn)仍可抱持謹慎樂觀的態(tài)度。

集邦表示,以各國市占率版圖來分析,第3季韓系廠商市占率達61.2%,美系及日系廠商市占率皆有下滑,各有12.2%及16.3%的市占率,臺系DRAM廠方面市占率則由上季的10.5%微幅下滑至10.3%。

由于DRAM價格急速下滑,使各DRAM廠對未來資本支出轉趨保守,如三星Fab16的建設,將視未來市場狀況做調(diào)整,臺系廠如力晶也下修資本支出約20%,至160億元,而日臺合資的瑞晶R2廠擴廠計劃也延后討論。

集邦預估,此波DRAM價格下跌,第4季跌幅將增大至30%以上,價格可望在明年第1季或第2季落底,DRAM廠可能在明年上半年資本支出將保守以對。


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